[发明专利]聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程

说明书

本发明公开了一种聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，包括置入被镀对象于批次式等离子真空镀膜设备之舱体中并抽真空、施以等离子体技术、再次施以等离子体技术、置入被镀对象于聚对二甲苯有机高分子真空镀膜设备之舱体中并抽真空、以气相沉积的方式形成均匀的聚对二甲苯有机高分子薄膜于被镀对象之表面的孔隙内等步骤。藉此，可确实达到提升聚对二甲苯有机高分子薄膜与被镀对象之间的附着度、使奈米级的聚对二甲苯有机高分子薄膜能更紧密、均匀地包覆于被镀对象之表面之孔隙内之目的。

技术领域

本发明涉及一种聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，尤指一种可提升聚对二甲苯有机高分子薄膜与被镀对象之间的附着度、使奈米级的聚对二甲苯有机高分子薄膜能更紧密、均匀地包覆于被镀对象之表面之孔隙内的聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程。

背景技术

奈米级的聚对二甲苯有机高分子薄膜具有良好的阻滞性、封装、绝缘耐压、表面干式润滑等特性。因此，在一般产品(例如电子零件产品)的制程中被广泛地使用。

传统上于聚对二甲苯有机高分子薄膜之镀膜制程中，其关键在于镀膜接口之匹配(影响附着度)，故聚对二甲苯有机高分子薄膜在与不同材质(基材)之被镀对象在进行镀膜之前，需先施以清洁溶剂以先完成被镀对象之表面清洁，之后再以偶合溶剂浸泡以增加被镀对象与聚对二甲苯有机高分子薄膜之间的附着力，藉以防止被镀对象上沉积的聚对二甲苯有机高分子薄膜(薄膜层)受到特定外力影响而导致薄膜层脱落，进而产生失效的问题。

于上述制程中，需使用液态溶剂进行清洁与偶合，其并不适用于干式制程之被镀对象的规范，因此具有被镀对象因浸泡溶剂受潮而失效之风险。

发明内容

为克服现有技术之缺陷，本发明的目的在于提供一种聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种聚对二甲苯有机高分子薄膜干式镀膜制程，包括以下步骤：

置入一被镀对象于一批次式等离子真空镀膜设备之舱体中并抽真空；

选用适合于该被镀对象之材质之至少一参数并注入与该被镀对象之材质匹配之一气体至该舱体中，并施以等离子体技术，激发抽真空之该舱体中之该气体，以产生离子和电子，该离子并冲击剥蚀该被镀对象之表面；

选用适合于该被镀对象之材质之该至少一参数并注入与该被镀对象之材质匹配之一气体至该舱体中，再次对该被镀对象施以等离子体技术，并加入活性粒子进行气相沉积；

置入该被镀对象于一聚对二甲苯有机高分子真空镀膜设备之舱体中并抽真空；以及

选用适合该被镀对象之效能需求之该至少一参数并注入与该被镀对象之效能需求匹配之一聚对二甲苯有机高分子材料于一材料室，经过120～150℃汽化及650～800℃裂解区之裂解后，再进入约25～30℃之一常温沉积室内，于抽真空状态下，以气相沉积的方式形成一均匀的聚对二甲苯有机高分子薄膜于该被镀对象之表面的孔隙内。

因此，通过上述方法，可确实达到提升聚对二甲苯有机高分子薄膜与被镀对象之间的附着度、使奈米级的聚对二甲苯有机高分子薄膜能更紧密、均匀地包覆于被镀对象之表面之孔隙内之目的。

上述至少一参数选自下列群组之至少其中一者：投入气体量、电浆功率及时间值。

上述投入气体量介于20sccm至200sccm之间。

上述电浆功率介于100W至5000W之间。

上述时间值介于1分钟至30分钟之间。

上述置入一被镀物件于一批次式等离子真空镀膜设备之舱体中并抽真空之步骤之前，更选择性地包括以下步骤：屏蔽一防镀材料于该被镀对象之一部分上。