[发明专利]具有Cu2MnAl结构的高有序Ni2VAl合金超薄带的制备方法

说明书

本发明具有Cu₂MnAl结构的高有序Ni₂VAl合金超薄带的制备方法，涉及镍基合金，采用甩带的办法快速一步制备得到单一L₂₁相的具有Cu₂MnAl结构的高有序的Ni₂VAl合金超薄带，步骤是：根据元素组成式Ni₂VAl中的原子配比配制原料；熔炼原料成Ni₂VAl合金锭子；制备Ni₂VAl合金超薄带产品；测试Ni₂VAl合金超薄带的结构确定制得的Ni₂VAl合金超薄带产品是具有单一L₂₁相的Cu₂MnAl结构的高有序Ni₂VAl合金超薄带，得到了该合金的具体结构信息，克服了目前国际晶体学数据库中尚没有这种材料的结构信息的缺陷。

技术领域

本发明的技术方案涉及镍基合金，具体地说是具有Cu₂MnAl结构的高有序Ni₂VAl合金超薄带的制备方法。

背景技术

1975年，Marazza,Ferro和Rambaldi首先报道了金属间化合物Ni₂VAl。他们将纯Ni、纯V、纯Al的金属单质利用电弧炉在高纯氩气氛围下熔炼成钮扣状金属合金锭子，然后将样品在500℃在氩气保护氛围下退火一周的时间，样品缓慢冷却至室温后将样品取出，研磨成粉末，利用X射线衍射办法，他们确认该Ni₂VAl合金具有Cu₂MnAl型晶体结构或 CsCl型晶体结构，他们根据衍射数据得到合金的晶格常数为1992年，Lin和 Freeman基于局域密度近似的全电势自洽方法研究了Ni₂VAl的电子结构性质，他们发现该合金在制备过程中会形成L₂₁和B₂相的混合相，因为这两个相之间的形成能很小，因此他们断定不能制备出单一L₂₁相的Ni₂VAl，因此也不能通过实验的办法精确测定L₂₁相Ni₂VAl 的精确晶格常数。单一L₂₁相的Cu₂MnAl结构的Ni₂VAl合金是一种原子排列高有序的金属合金，是一种新的物相，目前国际晶体学数据库中尚没有这种材料的结构信息。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供具有Cu₂MnAl结构的高有序Ni₂VAl合金超薄带的制备方法，采用甩带的办法快速一步制备得到具有单一L₂₁相的Cu₂MnAl结构的高有序的Ni₂VAl合金超薄带，得到了该合金的具体结构信息，克服了目前国际晶体学数据库中尚没有这种材料的结构信息的缺陷。

本发明解决该技术问题所采用的技术方案是：具有Cu₂MnAl结构的高有序Ni₂VAl合金超薄带的制备方法，采用甩带的办法快速一步制备得到单一L₂₁相的具有Cu₂MnAl结构的高有序的Ni₂VAl合金超薄带，具体步骤如下：

第一步，配制原料：

根据元素组成式Ni₂VAl中的原子配比，计算出相应的元素质量比，利用高精度的电子天平进行精确的质量称量以称取所需质量的纯Ni、纯V和纯Al，每种金属原料的质量误差在±0.0005g，完成配制原料；

第二步，熔炼原料成Ni₂VAl合金锭子：