[发明专利]一种双极管

权利要求书

1.一种双极管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多数个由N型发射区、P型基区、P型浓基区组成的条带，该条带中的N型发射区的上面与发射极金属层连通，N型发射区的下面为P型基区，P型基区的侧面连着掺杂浓度比基区高的P型浓基区，P型浓基区与P型浓基区汇流条正交，硅衬底片的上方为基极金属层，硅衬底片的上层N型高电阻率层位于P型基区和P型浓基区以下的部分为集电区，硅衬底片的N型低电阻率层为集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：

所述基极金属层与P型浓基区汇流条的上表面相连接；

发射极压焊块为2个以上；

所述条带的重复间距小于300μm。

2.如权利要求1所述的双极管，其特征在于：基极压焊块为2个以上。

3.如权利要求1所述的双极管，其特征在于：所述P型浓基区是平面型的。

4.如权利要求1所述的双极管，其特征在于：所述P型浓基区是槽型的。

5.如权利要求1所述的双极管，其特征在于：所述N型发射区的上面与发射极金属层直接连接。

6.如权利要求1所述的双极管，其特征在于：所述N型发射区的上面与发射极金属层间接连接，二者之间夹一掺杂多晶硅层。

7.如权利要求1所述的双极管，其特征在于：所述P型浓基区的上面与N型发射区相连接。

8.如权利要求1所述的双极管，其特征在于：所述P型浓基区的结深比P型基区的结深深。

9.如权利要求1所述的双极管，其特征在于：所述P型浓基区的结深比P型基区的结深浅。

10.如权利要求1所述的双极管，其特征在于：所述硅衬底片的晶向为(111)。