[发明专利]一种有机硅薄膜为基体的挠性覆铜板及其制备方法

说明书

本发明公开了一种新型的有机硅薄膜为基体的挠性覆铜板及其制备方法。该挠性覆铜板由有机硅薄膜、聚合物胶粘层和金属箔共三层组成。其中，所制备的挠性覆铜板的介电常数为2.5‑3.1，介电损耗为0.002‑0.007，具有较高的介电性能。制备方法是首先将聚合物胶粘剂均匀涂覆在有机硅薄膜上，接着将涂敷了胶粘剂的有机硅薄膜与金属箔用热辊连续压合，最后高温固化得到介电性能良好的挠性覆铜板。所制备的挠性覆铜板不仅柔性高，而且具有高频高速的特点，介电性能良好，介电常数和介电损耗均较低，可以广泛应用在对高频高速有特殊要求的电子领域，比如5G智能手机，雷达，航空航天设备、导航设备、飞机仪表等。

技术领域

本发明涉及挠性覆铜板技术领域的一种新型的有机硅薄膜为基体的挠性覆铜板及其制备方法，更具体指一种具有良好柔性，厚度均匀，低介电常数和低介电损耗，可以应用在高频高速电子领域的挠性覆铜板。

背景技术

挠性覆铜板是指在聚合物薄膜等挠性绝缘材料的单面或双面，通过一定的工艺处理，与铜箔粘接在一起所形成的覆铜板。挠性覆铜板广泛用于航空航天设备、导航设备、飞机仪表、军事制导系统和手机、数码相机、数码摄像机、汽车卫星方向定位装置、液晶电视、笔记本电脑等电子产品中。随着高频通信大大发展，使得移动电话、汽车电话，无线通信向高频化发展，使用频率从MHz向GHz频段转移，信息传送进入高频领域。电子信息产品高频化、高速化对挠性覆铜板的高频特性提出了更高的要求。高频挠性覆铜板的基本特性必须达到以下两个要求：(1)介电常数(Dk)必须小而且很稳定。通常是越小越好，信号的传送速率与材料介电常数的平方根成反比，高介电常数容易造成信号传输延迟。(2)介质损耗(Df)必须小。介质损耗(Df)主要影响到信号传送的品质，介质损耗越小使得信号损耗也越小。目前高频高速挠性覆铜板的技术主要被美国和日本的公司所垄断，比如日本旭化成公司生产的挠性覆铜板品种较多，性能较为优异，具有高Tg(255-330℃)、耐热性(160-230℃)、抗湿性、低Dk及低Df等优点。美国罗杰斯公司生产的ROGERS(罗杰斯)覆铜板，比如RO3200，RO3210，RO4003等系列，最低介电常数甚至可以达到2.2。与国外相比，我国的高频高速挠性覆铜板还处于起步阶段，种类稀少。目前市场的主流产品的介电常数为3.5左右，无法满足今后在高频高速领域的应用，特别是无法满足未来5G手机市场的应用。而本发明制备出了一种具有具有高频高速的特点的挠性覆铜板，可以应用在广泛的电子领域，特别是可以应用在今后的5G手机市场，对于我国今后该领域的发展具有极高的战略意义。

发明内容

针对上述现有技术的不足，本发明的目的，是提供一种新型的有机硅薄膜为基体的挠性覆铜板及其制备方法。该挠性覆铜板不仅具有柔性高，厚度均匀等优点，同时还有较低的介电常数和介电损耗，因此具有高频高速的特点，可以应用在广泛的电子领域，特别是可以应用在今后的5G手机市场。为了实现上述目的，

本发明的技术方案如下：

采用涂布机以1-10m/min的涂布速度将聚合物胶粘剂均匀涂覆在厚度为有机硅薄膜上。然后，涂敷了胶粘剂的有机硅薄膜在牵引辊的作用下，以1-10m/min的牵伸速度连续通过温度范围为40-80℃的连续干燥机，去除聚合物胶粘剂中所含的有机溶剂，接着将有机硅薄膜与金属箔用热辊在110-160℃温度下压合并收卷，最后置于130-180℃烘箱中固化1-6h，即得到高介电性能的新型有机硅薄膜为基体的挠性覆铜板。

所述的有机硅薄膜层厚度为1-200μm，优选厚度为20-100μm。

所述的聚合物胶粘剂为环氧树脂胶粘剂、丙烯酸酯胶粘剂、有机硅胶粘剂、不饱和聚酯胶粘剂，聚氨酯胶粘剂中的任意一种或其改性产品。

所述的新型有机硅薄膜为基体的挠性覆铜板的聚合物胶粘层厚度为1-200μm，优选厚度为20-100μm。

所述的新型有机硅薄膜为基体的挠性覆铜板的金属箔层厚度为1-200μm，优选厚度为20-100μm，金属箔为压延铜箔或电解铜箔中的一种。