[发明专利]一种针对压接式IGBT模块子模组的测试装置及方法

说明书

本发明公开了一种针对压接式IGBT模块子模组的测试装置及方法。装置包括：发射极引出端；栅极引出端；集电极引出端；压块，压块上表面构造有螺杆接触部，压块下表面构造有栅极接触部以及突出的压块压头，所述栅极接触部连接到所述栅极引出端，所述压块压头连接到所述发射极引出端；测试腔，测试腔内顶部构造有具备螺纹的螺杆安置口，测试腔内底部对应所述螺杆安置口的位置构造有用于安置所述待测试IGBT模块子模组的安置部；螺杆，其具备螺纹且与所述螺杆安置口匹配。本发明的装置的结构匹配压接式IGBT模块子模组，其可以辅助现有测试设备对压接式IGBT模块子模组进行测试。相较于现有技术中的设备，本发明装置结构简单，使用简便，具有很高的实用价值。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种针对压接式IGBT模块子模组的测试装置及方法。

背景技术

随着绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)在的应用范围的不断扩展，IGBT的类型也不断增多。

在现有技术的应用场景中，存在一种压接式IGBT模块，该压接式IGBT模块内部结构为多个子模组单元并联，各个子模组独立分布。在此多个子模组并联的系统中，子模组的特性会直接影响到整个系统的特性，因此需要对所有子模组进行性能测试。

但是现有的测试设备并非为子模组性能测试设计，所以无法直接对子模组进行测试，因此需要一套装置对子模组进行处理，使得现有设备能够对子模组进行测试。

发明内容

本发明提供了一种针对压接式IGBT模块子模组的测试装置，所述装置包括：

发射极引出端；

栅极引出端；

集电极引出端；

压块，压块上表面构造有螺杆接触部，压块下表面构造有栅极接触部以及突出的压块压头，所述栅极接触部连接到所述栅极引出端，所述压块压头连接到所述发射极引出端，所述压块压头的形状与待测试IGBT模块子模组的发射极匹配，在测试过程中，所述压块压头压在所述待测试IGBT模块子模组的发射极上，所述栅极接触部压在所述待测试IGBT模块子模组的栅极弹簧探针上并将其压缩特定量；

测试腔，测试腔内顶部构造有具备螺纹的螺杆安置口，测试腔内底部对应所述螺杆安置口的位置构造有用于安置所述待测试IGBT模块子模组的安置部，所述安置部连接到所述集电极引出端，在测试过程中，所述待测试IGBT模块子模组安置在所述安置部上且集电极与所述安置部接触；

螺杆，其具备螺纹且与所述螺杆安置口匹配，所述螺杆配置为可在所述螺杆安置口内旋转以上移/下移，所述螺杆配置为可通过控制施加在所述螺杆上的旋转力矩控制所述螺杆施加在所述螺杆下端接触物体的压力的具体数值，在测试过程中，所述螺杆的下端压在所述螺杆接触部上从而将压力最终施加到所述待测试IGBT模块子模组的发射极上。

在一实施例中，所述螺杆的下端形状与所述螺杆接触部的形状匹配，所述螺杆的下端为凸出的球面，所述螺杆接触部为凹陷的球面。

在一实施例中，所述装置还包括：

第一绝缘层，所述绝缘层包裹所述测试腔的外壁。

在一实施例中，所述装置还包括：

第二绝缘层，所述第二绝缘层填充在所述压块压头与所述栅极接触部之间。

在一实施例中，所述压块压头突出所述栅极接触部的高度与所述栅极弹簧探针被压缩特定量后顶端距离所述发射极的高度匹配。

在一实施例中，所述安置部包括：

固定槽，其固定安装在所述测试腔内底部；