[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一绝缘层，其设置在所述衬底上并包括焊盘区和与所述焊盘区相邻的外围区；

数据存储元件，其在所述第一绝缘层的所述焊盘区中；

接触插塞，其穿透所述外围区中的所述第一绝缘层；

第一虚设坝，其穿透所述第一绝缘层并设置在所述数据存储元件与所述接触插塞之间；以及

保护层，其在所述第一绝缘层上并交叠所述数据存储元件，

其中所述保护层与所述第一虚设坝接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一虚设坝在俯视图中围绕所述数据存储元件。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一虚设坝和所述接触插塞包括相同的材料。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二虚设坝，其穿透所述第一绝缘层并设置在所述数据存储元件之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

接触垫，其在所述第一绝缘层的所述外围区上并与所述接触插塞接触，

其中所述保护层和所述接触垫位于相同的层处。

6.如权利要求5所述的半导体器件，

其中所述保护层和所述接触垫包括相同的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述保护层在俯视图中具有线形或网格形。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二绝缘层，其在所述第一绝缘层上；以及

电极焊盘，其在所述第二绝缘层上并电连接到所述接触插塞，

其中所述电极焊盘交叠所述数据存储元件。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括焊盘区、划线区以及在所述焊盘区与所述划线区之间的缓冲区；

在所述第一绝缘层上的第二绝缘层；

在所述缓冲区上的所述第二绝缘层上的金属层，其中所述金属层包括至少一个沟槽；

垂直地穿透所述第一绝缘层的第一虚设坝，所述第一虚设坝设置在所述焊盘区中；以及

在所述第一绝缘层上的保护层，

其中所述保护层在与所述第一虚设坝的顶表面接触的同时由所述第一虚设坝支撑。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，

其中所述沟槽在俯视图中具有线形或网格形。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，

其中所述沟槽延伸到所述第二绝缘层中。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：

在所述缓冲区上并覆盖所述金属层的间隔物，

其中所述间隔物部分地填充所述沟槽。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：

垂直地穿透所述第一绝缘层并设置在所述缓冲区中的第二虚设坝。

14.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一绝缘层，其在所述衬底上并包括在外围区内部的焊盘区；

至少部分地在所述第一绝缘层的所述焊盘区中的多个数据存储元件；

接触插塞，其至少部分地在所述外围区中的所述第一绝缘层中；

第一虚设坝，其至少部分地在所述第一绝缘层中并基本上围绕所述数据存储元件设置，从而围绕所述数据存储元件形成周界以吸收来自对所述半导体器件侧面的外部冲击的能量；以及

保护层，其在所述第一绝缘层上并交叠所述数据存储元件，

其中所述保护层与所述第一虚设坝接触。