[发明专利]一种Nd2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

权利要求书

1.一种Nd₂(MoO₄)₃薄膜的直接制备方法，其特征在于具体步骤为：

(1)将Nd(NO₃)₃·6H₂O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005 ~ 1mol/L的稀土离子溶液，然后将EDTA或者柠檬酸按照与稀土离子总量的摩尔比为1~ 5:1的比例加入到上述稀土离子溶液中，再滴加0.1~1mol/L的NaOH溶液直至混合溶液的pH值达到12~13，最后再加入Na₂MoO₄·2H₂O、KCl和HNO₃，其中Na₂MoO₄·2H₂O的加入量与稀土离子总量的摩尔比为1~5:1，KCl的加入量与稀土离子总量的摩尔比为1~50:1，HNO₃的加入量用于调节混合溶液的pH值为4~6，混合均匀后获得电沉积溶液；

(2)将步骤(1)制得的电沉积溶液置于水浴中，搅拌使电沉积溶液的温度达到30~80℃，获得备用电沉积溶液；

(3)以表面镀有透明导电层的玻璃作为工作电极即阳极，Pt网作为对电极即阴极，Ag/AgCl/Cl^-电极作为参比电极，组成三电极体系；

(4)将步骤(3)组成的三电极体系插入步骤(2)获得的备用电沉积溶液中，设置沉积电压为1.95~3V，沉积时间为15min~3h，在透明导电层上沉积一层电沉积薄膜；

(5)将步骤(4)制得的电沉积薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于30~80℃的鼓风干燥箱中干燥5min~24h；

(6)将步骤(5)干燥好的电沉积薄膜置于管式炉中进行热处理，设置升温速率为1~10℃/min，升温至600~700℃保温0.5~10h，即制得Nd₂(MoO₄)₃薄膜；

所述透明导电层为ITO、FTO或者AZO。