[发明专利]LTPS阵列基板及内嵌式触摸屏

权利要求书

1.一种LTPS阵列基板，其特征在于，包括设置于阵列基板中间的显示区域，以及设置于所述阵列基板边缘的非显示区域；所述显示区域内阵列分布有薄膜晶体管；

所述阵列基板包括：

玻璃基板；

LTPS器件，制备于所述玻璃基板表面；所述LTPS器件包括有源层，所述有源层包括沟道区、位于所述沟道区一侧的源极掺杂区、以及位于所述沟道区相对另一侧的漏极掺杂区；

栅绝缘层，制备于所述LTPS器件表面；

栅极金属、栅线，所述栅极金属和所述栅线均设置于所述栅绝缘层表面，所述栅极金属与所述栅线连接；

间绝缘层，制备于所述栅绝缘层表面；

源极金属、漏极金属、数据线，形成于所述间绝缘层表面，所述源极金属、所述漏极金属和所述数据线位于所述显示区，所述源极金属通过源极通孔连接于所述源极掺杂区，所述漏极金属通过漏极通孔连接于所述漏极掺杂区；

保护层，制备于所述间绝缘层表面，且覆盖所述源极金属、所述漏极金属和所述数据线；

平坦化层，制备于所述保护层表面；

其中，所述保护层用于防止穿透所述平坦化层的水汽与所述源极金属、所述漏极金属、所述数据线中的至少一者接触。

2.根据权利要求1所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述保护层为氮化硅薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述保护层的膜厚为90nm～110nm。

4.根据权利要求1或2所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

第一介质层，制备于所述平坦化层表面；所述第一介质层表面形成有感应电极线；

第二介质层，制备于所述第一介质层表面；

公共电极层，制备于所述第二介质层表面；所述公共电极层经图形化处理形成相互绝缘的公共电极板；每一所述公共电极板，通过感应电极通孔连接相对应的所述感应电极线，每一所述感应电极线通过过孔结构连接相对应的触控信号连接线的一端，所述触控信号连接线的另一端连接至触控芯片；

钝化层，制备于所述第二介质层表面；

像素电极，形成于所述钝化层表面，每一所述像素电极通过一像素电极通孔连接至相对应的所述漏极金属。

5.根据权利要求1或2所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述保护层采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备于所述间绝缘层表面。

6.一种内嵌式触摸屏，其特征在于，包括：

彩膜基板；

阵列基板，与所述彩膜基板相对设置；包括设置于所述阵列基板中间的显示区域，以及设置于所述阵列基板边缘的非显示区域；所述显示区域内阵列分布有薄膜晶体管；

液晶层，设置于所述彩膜基板与所述阵列基板之间；

所述阵列基板包括：

玻璃基板；

LTPS器件，制备于所述玻璃基板表面；所述LTPS器件包括有源层，所述有源层包括沟道区、位于所述沟道区一侧的源极掺杂区、以及位于所述沟道区相对另一侧的漏极掺杂区；

栅绝缘层，制备于所述LTPS器件表面；

栅极金属、栅线，所述栅极金属和所述栅线均设置于所述栅绝缘层表面，所述栅极金属与所述栅线连接；

间绝缘层，制备于所述栅绝缘层表面；

源极金属、漏极金属、数据线，形成于所述间绝缘层表面，所述源极金属、所述漏极金属和所述数据线位于所述显示区，所述源极金属通过源极通孔连接于所述源极掺杂区，所述漏极金属通过漏极通孔连接于所述漏极掺杂区；

保护层，制备于所述间绝缘层表面，且覆盖所述源极金属、所述漏极金属和所述数据线；

平坦化层，制备于所述保护层表面；

其中，所述保护层用于防止穿透所述平坦化层的水汽与所述源极金属、所述漏极金属、所述数据线中的至少一者接触。

7.根据权利要求6所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述保护层为氮化硅薄膜。

8.根据权利要求6或7所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述保护层的膜厚为90nm～110nm。