[发明专利]用于测试界面电阻的器件、界面电阻测试方式及应用有效
| 申请号： | 201710608281.2 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107465391B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨黎飞;张闻斌;李杏兵 | 申请（专利权）人： | 协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H02S50/10 | 分类号： | H02S50/10;H01L31/072 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王乐 |
| 地址： | 201406 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 测试 界面 电阻 器件 方式 应用 | ||
1.一种用于测试界面电阻的器件，其特征在于，包括：
器件主体，
第一电极，位于所述器件主体的一侧；
以及第二电极，位于所述器件主体的另一侧；
所述器件主体包括：
晶体硅片，
第一本征层，位于所述晶体硅片靠近所述第一电极的一侧；
第一掺杂非晶硅层，位于所述第一本征层靠近所述第一电极的一侧；所述第一掺杂非晶硅层与所述晶体硅片同型。
2.根据权利要求1所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述器件主体为对称结构。
3.根据权利要求2所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述器件主体还包括第二本征层以及第二掺杂非晶硅层；所述第二本征层和所述第二掺杂非晶硅层均位于所述晶体硅片与所述第二电极之间；所述第二本征层靠近所述晶体硅片，所述第二掺杂非晶硅层靠近所述第二电极；
所述第二掺杂非晶硅层与所述晶体硅片同型。
4.根据权利要求3所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述器件主体还包括位于所述第一电极与所述第一掺杂非晶硅层之间的第一透明导电层、以及位于所述第二电极与所述第二掺杂非晶硅层之间的第二透明导电层。
5.根据权利要求1所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述器件主体还包括位于所述晶体硅片与所述第二电极之间的重掺杂层；所述重掺杂层与所述晶体硅片同型。
6.根据权利要求5所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述重掺杂层通过对晶体硅基底重掺杂形成。
7.根据权利要求1-6任一项所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述晶体硅片为N型。
8.根据权利要求1-6任一项所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述晶体硅片为P型。
9.一种异质结太阳能电池的界面电阻测试方式，其特征在于，包括如下步骤：
制备权利要求1～8任一项所述的器件；所述器件的工艺参数与待测试电池的对应的工艺参数相同；
测试所述器件在光照下的J-V曲线，并得到所述器件的总电阻；
根据所述总电阻，计算得出界面电阻。
10.一种权利要求1～8任一项所述的器件在界面电阻监控中的应用。
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