[发明专利]用于测试界面电阻的器件、界面电阻测试方式及应用

说明书

本发明涉及一种用于测试界面电阻的器件，其包括器件主体，第一电极，位于器件主体的一侧；以及第二电极，位于器件主体的另一侧；器件主体包括：晶体硅片，第一本征层，位于晶体硅片靠近第一电极的一侧；第一掺杂非晶硅层，位于第一本征层靠近第一电极的一侧；第一掺杂非晶硅层与晶体硅片同型。上述器件，可模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况，进而通过测量该器件的总电阻，除去其它电阻，进而获得器件的界面电阻，继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻；也即通过上述器件可以测试异质结太阳能电池的界面电阻，并且进行无损测试。本发明还提供了一种界面电阻测试方式及应用。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种用于测试界面电阻的器件、界面电阻测试方式及应用。

背景技术

异质结太阳能电池是一种典型的高效太阳能电池，其具有温度系数低，无光致衰减效应(LID)，无电势诱发衰减效应(PID)、以及可以双面发电等特点。太阳能电池的实际发电量可以比同标称功率的多晶硅电池高出15％～30％，尤其适合分布式发电市场的应用。

异质结太阳能电池的界面电阻也是直接影响填充因子(FF)因素之一。但是，对于界面电阻目前尚无有效的测试方法。

发明内容

基于此，有必要针对现有的异质结太阳能电池中界面电阻尚无有效测试方法的问题，提供一种可用于测试异质结太阳能电池的界面电阻的器件。

一种用于测试界面电阻的器件，包括：

器件主体，

第一电极，位于所述器件主体的一侧；

以及第二电极，位于所述器件主体的另一侧；

所述器件主体包括：

晶体硅片，

第一本征层，位于所述晶体硅片靠近所述第一电极的一侧；

第一掺杂非晶硅层，位于所述第一本征层靠近所述第一电极的一侧；所述第一掺杂非晶硅层与所述晶体硅片同型。

上述器件，可模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况，进而通过测量该器件的总电阻，除去其它电阻，进而获得器件的界面电阻，继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻；也即通过上述器件可以测试异质结太阳能电池的界面电阻，并且进行无损测试。

在其中一个实施例中，所述器件主体为对称结构。

在其中一个实施例中，所述器件主体还包括第二本征层以及第二掺杂非晶硅层；所述第二本征层和所述第二掺杂非晶硅层均位于所述晶体硅片与所述第二电极之间；所述第二本征层靠近所述晶体硅片，所述第二掺杂非晶硅层靠近所述第二电极；

所述第二掺杂非晶硅层与所述晶体硅片同型。

在其中一个实施例中，所述器件主体还包括位于所述第一电极与所述第一掺杂非晶硅层之间的第一透明导电层、以及位于所述第二电极与所述第二掺杂非晶硅层之间的第二透明导电层。

在其中一个实施例中，所述器件主体还包括位于所述晶体硅片与所述第二电极之间的重掺杂层；所述重掺杂层与所述晶体硅片同型。

在其中一个实施例中，所述重掺杂层通过对晶体硅基底重掺杂形成。

在其中一个实施例中，所述晶体硅片为N型。

在其中一个实施例中，所述晶体硅片为P型。

本发明还提供了一种异质结太阳能电池的界面电阻测试方式。

一种异质结太阳能电池的界面电阻测试方式，其特征在于，包括如下步骤：

制备本发明所提供的器件；所述器件的工艺参数与待测试电池的对应的工艺参数相同；