[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片在审
申请号: | 201710610709.7 | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN107706292A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 冈村卓 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 于靖帅,乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管芯片的制造方法,其特征在于,该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序:
晶片准备工序,准备如下的晶片:该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层,在该层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路,其中,所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层;
透明基板加工工序,在透明基板的正面上与该晶片的各LED电路对应地形成多个槽,其中,所述透明基板在整个面的区域内具有多个贯通孔;
一体化工序,在实施了该透明基板加工工序之后,将该透明基板的正面粘贴在该晶片的背面上而形成一体化晶片;以及
分割工序,沿着该分割预定线将该晶片与该透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法,其中,
在该透明基板加工工序中形成的所述槽的截面形状为三角形、四边形以及半圆形中的任意形状。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法,其中,
在该透明基板加工工序中,通过切削刀具、蚀刻、喷沙以及激光中的任意方式来形成所述槽。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法,其中,
该透明基板由透明陶瓷、光学玻璃、蓝宝石以及透明树脂中的任意材料形成,在该一体化工序中使用透明粘接剂将该透明基板粘贴在该晶片上。
5.一种发光二极管芯片,其中,
该发光二极管芯片具有:
发光二极管,其在正面上形成有LED电路;以及
透明部件,其粘贴在该发光二极管的背面上,在整个面的区域内具有多个贯通孔,
在该透明部件的与该发光二极管粘贴的面上形成有槽。
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