[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。

背景技术

在蓝宝石基板、GaN基板、SiC基板等晶体成长用基板的正面上形成有层叠体层，该层叠体层通过将n型半导体层、发光层和p型半导体层层叠多层而形成，将在该层叠体层上由交叉的多条分割预定线划分出的区域内形成有多个LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等发光器件的晶片沿着分割预定线切断而分割成各个发光器件芯片，分割得到的发光器件芯片被广泛地应用在移动电话、个人计算机、照明设备等各种电子设备中。

由于从发光器件芯片的发光层射出的光具有各向同性，所以光也会照射到晶体成长用基板的内部而也从基板的背面和侧面射出。然而，在照射到基板的内部的光中，由于基板与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光在界面上发生全反射而被关在基板内部，不会从基板射出到外部，所以存在导致发光器件芯片的亮度降低的问题。

为了解决该问题，在日本特开2014-175354号公报中记载了如下的发光二极管(LED)：为了抑制从发光层射出的光被关在基板的内部，将透明部件粘贴在基板的背面上而实现亮度的提高。

专利文献1：日本特开2014-175354号公报

然而，在专利文献1所公开的发光二极管中，存在如下问题：虽然通过将透明部件粘贴在基板的背面而稍微提高了亮度，但无法得到充分的亮度。

发明内容

本发明是鉴于这样的点而完成的，其目的在于，提供能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。

根据技术方案1所述的发明，提供发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的正面上与该晶片的各LED电路对应地形成多个槽，其中，所述透明基板在整个面的区域内具有多个贯通孔；一体化工序，在实施了该透明基板加工工序之后，将该透明基板的正面粘贴在该晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着该分割预定线将该晶片与该透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。

优选在透明基板加工工序中形成的槽的截面形状为三角形、四边形或半圆形中的任意形状。优选在透明基板加工工序中形成的槽通过切削刀具、蚀刻、喷沙以及激光中的任意方式来形成。

优选该透明基板由透明陶瓷、光学玻璃、蓝宝石以及透明树脂中的任意材料形成，在该一体化工序中通过透明粘接剂将该透明基板粘接在晶片上。

根据技术方案5所述的发明，提供发光二极管芯片，其中，该发光二极管芯片具有：发光二极管，其在正面上形成有LED电路；以及透明部件，其粘贴在该发光二极管的背面上，在整个面的区域内具有多个贯通孔，在该透明部件的与该发光二极管粘贴的面上形成有槽。

关于本发明的发光二极管芯片，由于在粘贴于LED的背面的透明部件的正面上形成有槽并且在透明部件上形成有多个贯通孔，所以透明部件的表面积增大，而且光复杂地折射而使关在透明部件内的光减少，从透明部件射出的光的量增大而使发光二极管芯片的亮度提高。

附图说明

图1是光器件晶片的正面侧立体图。

图2的(A)是示出透明基板加工工序的立体图，图2的(B)～图2的(D)是示出所形成的槽形状的剖视图。

图3的(A)是示出将在正面上具有沿第1方向伸长的多个槽的透明基板粘贴在晶片的背面上而进行一体化的一体化工序的立体图，图3的(B)是一体化晶片的立体图。

图4是示出将在正面上具有沿第1方向和与第1方向垂直的第2方向伸长的多个槽的透明基板粘贴在晶片的背面上而进行一体化的一体化工序的立体图。

图5是示出借助划片带而利用环状框架对一体化晶片进行支承的支承工序的立体图。

图6是示出将一体化晶片分割成发光二极管芯片的分割工序的立体图。

图7是示出分割工序结束后的一体化晶片的立体图。

图8是本发明实施方式的发光二极管芯片的立体图。

标号说明