[发明专利]一种芯片结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

随着产品尺寸的不断缩小，封装使用的芯片厚度也在不断的减薄，给装片作业也带来了难度，在满足银胶覆盖率的情况下无法保证银胶不溢到芯片表面。如果满足100%的银胶覆盖率，容易造成银胶溢到芯片表面，影响后续的焊线工艺；或是减少银胶的使用量来保证银胶不溢到芯片表面，可能会导致银胶覆盖率不足，造成产品的可靠性失效。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种芯片结构及其制造方法，它可以保证在满足银胶覆盖率的基础上，避免银胶溢到芯片表面，保证后续焊线的正常进行和产品的可靠性。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种芯片结构，它包括芯片本体，所述芯片本体侧面X、Y方向设置有弧形的沟槽。

一种芯片结构的制造方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、准备一晶圆，在晶圆背面贴覆一层蓝膜，晶圆正面贴覆一层干膜并通过曝光显影将晶圆切割道露出；

步骤二、晶圆正面切割，沿着切割道将晶圆切成单颗芯片，切割成单颗的芯片仍然粘附在蓝膜上；

步骤三、将芯片进行蚀刻，将芯片侧面X、Y方向蚀刻出弧形沟槽；

步骤四、整面芯片的正面曝光显影，去除芯片正面的干膜；

步骤五、整片切割好的芯片出货，封装厂正常流程作业。

步骤二中切割刀的宽度小于切割道的宽度。

步骤四中蚀刻的方式是湿法蚀刻、等离子体蚀刻或气体蚀刻。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

1、超薄芯片侧面开槽，可以在装片的时候容纳芯片底部溢出的银胶，防止银胶直接溢到芯片表面；

2、芯片侧面可以容纳银胶，既能保证芯片底部银胶的覆盖率，又可以增加芯片侧面与银胶的结合，增加芯片与基板的结合能力，提高产品的可靠性。

附图说明

图1为本发明一种芯片结构的示意图。

图2~图5为本发明一种芯片结构的制造方法各工序的流程示意图。

其中：

芯片本体1

沟槽2。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。

参见图1，本实施例中的一种芯片结构，它包括芯片本体1，所述芯片本体1侧面X、Y方向设置有弧形的沟槽2；

其制造方法如下：

步骤一、参见图2，准备一晶圆，在晶圆背面贴覆粘合性比较高的蓝膜，晶圆正面贴覆一层干膜，通过曝光显影将晶圆切割道露出；

步骤二、参见图3，晶圆正面切割，沿着切割道将晶圆切成单颗芯片，切割成单颗的芯片仍然粘附在蓝膜上。切割刀的宽度小于切割道的宽度，防止蚀刻的时候蚀刻到芯片边缘；

步骤三、参见图4，将芯片进行蚀刻，通过调整蚀刻参数将芯片侧面X、Y方向蚀刻出弧形沟槽，蚀刻的方式可以是湿法蚀刻、等离子体蚀刻、气体蚀刻等；

步骤四、参见图5，整面芯片的正面曝光显影，去除芯片正面的干膜；

步骤五、整片切割好的芯片出货，封装厂正常流程作业。

除上述实施例外，本发明还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本发明权利要求的保护范围之内。