[发明专利]一种电子传输层材料的制备方法与QLED器件在审

专利信息
申请号: 201710612047.7 申请日: 2017-07-25
公开(公告)号: CN109301074A 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 程陆玲;杨一行 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电子传输层材料 电子传输层 富勒醇 制备 金属氧化物纳米颗粒 富勒烯 电荷迁移率 器件性能 溶液混合 调控 醇化 催化 掺杂
【权利要求书】:

1.一种电子传输层材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

将富勒烯通过催化碱法制备得到富勒醇,并配制成富勒醇溶液;

将富勒醇溶液与金属氧化物纳米颗粒溶液混合,制备得到电子传输层材料。

2.根据权利要求1所述的电子传输层材料的制备方法,其特征在于,所述将富勒烯通过催化碱法制备得到富勒醇的步骤具体如下:

将碱金属或碱土金属溶液与有机碱溶液混合,然后在搅拌下加入富勒烯溶液,再加入氧化剂进行反应;

反应结束后,静置得到含有机相和水相的两层反应体系,采用极性溶剂将水相进行离心分离、沉淀、干燥,得到富勒醇。

3.根据权利要求1或2所述的电子传输层材料的制备方法,其特征在于,富勒烯的通式为Cm ;其中28≤m≤540,m为偶数。

4.根据权利要求1或2所述的电子传输层材料的制备方法,其特征在于,所述富勒醇的通式为Cm(OH)n;其中28≤m≤540,2≤n≤28,m和n均为偶数。

5.根据权利要求2所述的电子传输层材料的制备方法,其特征在于,所述碱金属或碱土金属为NaOH,KOH,Ba(OH)2,Ca(OH)2中的一种或多种;

和/或所述有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵中的一种或多种;

和/或所述氧化剂为双氧水、高锰酸钾中的一种或多种。

6.根据权利要求2所述的电子传输层材料的制备方法,其特征在于,所述碱金属或碱土金属的摩尔用量与富勒烯的质量比为0.02mmol:100mg-1mmol:20mg;

和/或所述有机碱的质量分数与富勒烯的质量比为10%:100mg-30%:20mg;

和/或所述氧化剂的质量分数与富勒烯的质量比为30%:100mg-50%:20mg。

7.根据权利要求1所述的电子传输层材料的制备方法,其特征在于,金属氧化物纳米颗粒为二氧化钛、氧化锌、二氧化砷中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的电子传输层材料的制备方法,其特征在于,富勒醇与金属氧化物纳米颗粒的质量浓度比为1/12-12。

9.一种QLED器件,依次包括含阳极的基板、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极,其特征在于,所述电子传输层的材料为权利要求1至8任意一项所述的制备方法制备得到的电子传输层材料。

10.一种QLED器件,依次包括含阳极的基板、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极,其特征在于,所述电子传输层含有富勒醇与金属氧化物纳米颗粒。

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