[发明专利]一种电子传输层材料的制备方法与QLED器件

说明书

本发明公开一种电子传输层材料的制备方法与QLED器件，方法包括如下步骤：将富勒烯通过催化碱法制备得到富勒醇，并配制成富勒醇溶液；将富勒醇溶液与金属氧化物纳米颗粒溶液混合，制备得到电子传输层材料。本发明是采用富勒烯材料进行醇化后与现有电子传输层金属氧化物纳米颗粒进行混合掺杂共同作为电子传输层，通过调控各种材料的浓度以及种类，不仅极大的丰富了电子传输层材料的选择，同时也能够有效的调控电子传输层的电荷迁移率，从而有效改善QLED的器件性能。

技术领域

本发明涉及QLED器件领域，尤其涉及一种电子传输层材料的制备方法与QLED器件。

背景技术

量子点发光二极管（QLED）在新型显示技术领域逐渐受到商业界的青睐，这是源于量子点具有发光的色纯度和稳定性好等相对优异的性能。在量子点发光二极管器件研究领域已经有大量的科研成果呈现，在量子点发光二极管的研究过程中有一个重要的技术参数伴随着器件研究的是电荷在不同功能层的迁移率。

然而针对不同发光带隙的量子点，其所需要的电子或空穴在不同功能层的电荷迁移率是不同的，如红光量子点所需要电子在电荷传输层的迁移率大于空穴在空穴传输层的迁移率，绿光量子点所需要电子在电荷传输层的迁移率等于空穴在空穴传输层的迁移率，蓝光量子点所需电子在电荷传输层的迁移率小于空穴在空穴传输层的迁移率。因此电荷迁移率对于改善器件性能具有很重要的意义，如何改善器件中的电荷在不同功能层的电荷迁移率成为较为重要的研究课题。

现有技术中，主要是通过改变电荷传输层的成分、种类以及厚度。例如现有通常采用的电荷传输层材料是ZnO、TiO₂、ZnMgO等，这是因为这些材料在纳米尺寸范围内具有很好的量子效应，在纳米尺度范围内这些材料对电子的量子限于度较低，因此很容易产生受激跃迁，受激跃迁后的电子在电场的加速下能够加速迁移产生足够的能量注入到量子点发光层。

针对QLED器件中能够用作电荷传输层的材料相对有限，对改善器件的性能也相对局限。然而在自然界中纳米尺度范围内具有较高的电荷迁移率的材料有很多，最常见的就是富勒烯材料（如C₆₀，C₇₀，C₇₂，C₇₆等），该富勒烯材料具有较高的电子迁移率，然而在现有技术中并未有用于QLED器件中。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种电子传输层材料的制备方法与QLED器件，旨在解决现有电荷传输层的材料对改善器件的性能仍有限的问题。

本发明的技术方案如下：

一种电子传输层材料的制备方法，其中，包括如下步骤：

将富勒烯通过催化碱法制备得到富勒醇，并配制成富勒醇溶液；

将富勒醇溶液与金属氧化物纳米颗粒溶液混合，制备得到电子传输层材料。

所述的电子传输层材料的制备方法，其中，所述将富勒烯通过催化碱法制备得到富勒醇的步骤具体如下：

将碱金属或碱土金属溶液与有机碱溶液混合，然后在搅拌下加入富勒烯溶液，再加入氧化剂进行反应；

反应结束后，静置得到含有机相和水相的两层反应体系，采用极性溶剂将水相进行离心分离、沉淀、干燥，得到富勒醇。

所述的电子传输层材料的制备方法，其中，富勒烯的通式为C_m ；其中28≤m≤540，m为偶数。

所述的电子传输层材料的制备方法，其中，所述富勒醇的通式为C_m(OH)_n；其中28≤m≤540，2≤n≤28，m和n均为偶数。