[发明专利]一种阵列基板、显示面板及该阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，

包括：栅极线、薄膜晶体管、钝化层与像素电极；

其中，所述栅极线与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述钝化层位于所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间，沿所述栅极线的延伸方向，所述钝化层的厚度逐渐改变。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

沿所述栅极线的延伸方向，所述钝化层的厚度逐渐减小。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述钝化层上设置有过孔，所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述钝化层的材料为氮化硅、氧化硅中的至少一种。

5.一种显示面板，包括阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板包括：栅极线、薄膜晶体管、钝化层与像素电极；

其中，所述栅极线与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述钝化层位于所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间，沿所述栅极线输出信号的方向，所述钝化层的厚度逐渐改变。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，

沿所述栅极线输出信号的方向，所述钝化层的厚度减小。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述钝化层上设置有过孔，所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成栅极线、薄膜晶体管、钝化层与像素电极；

其中，所述栅极线与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述钝化层位于所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间，且沿所述栅极线的延伸方向，所述钝化层的厚度逐渐改变。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上依次形成栅极线、薄膜晶体管、钝化层与像素电极的步骤，包括：

在所述衬底基板上依次形成栅极线、薄膜晶体管、钝化层和光阻层，其中，所述光阻层位于所述钝化层远离所述薄膜晶体管的一侧；

提供一掩膜板，对所述光阻层进行曝光显影，其中，沿所述栅极线的延伸方向，透过所述掩膜板照射在所述光阻层的光量逐渐改变，以使沿所述栅极线的延伸方向，显影后的所述光阻层的厚度逐渐改变；

对剩余的光阻层进行蚀刻，以去除剩余的光阻层并蚀刻掉所述钝化层的部分，从而使得所述钝化层的厚度逐渐改变；

在所述钝化层远离所述薄膜晶体管的一侧，形成所述像素电极。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

沿所述栅极线的延伸方向，所述钝化层的厚度逐渐减小。