[发明专利]一种阵列基板、显示面板及该阵列基板的制备方法在审
申请号: | 201710613991.4 | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN107272291A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 陈辰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板、显示面板及该阵列基板的制备方法。
背景技术
液晶显示面板具有低电压、微功耗、显示信息量大、易于彩色化等优点,在当前的显示器市场占据了主导地位,其已被广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备。
在液晶显示面板显示时,每帧画面的切换都是通过栅极线扫描的方式实现的。
本申请的发明人在长期的研究中发现,现有显示面板画面显示不均匀,有的地方画面显示较亮,有的地方画面显示较暗。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板、显示面板及该阵列基板的制备方法,能够提高显示画面的均一性。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板,包括:栅极线、薄膜晶体管、钝化层与像素电极;其中,所述栅极线与所述薄膜晶体管的栅极电连接,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接,所述钝化层位于所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间,沿所述栅极线的延伸方向,所述钝化层的厚度逐渐改变。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板,包括阵列基板,所述阵列基板包括:栅极线、薄膜晶体管、钝化层与像素电极;其中,所述栅极线与所述薄膜晶体管的栅极电连接,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接,所述钝化层位于所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间,沿所述栅极线输出信号的方向,所述钝化层的厚度逐渐改变。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种阵列基板的制备方法,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上依次形成栅极线、薄膜晶体管、钝化层与像素电极;
其中,所述栅极线与所述薄膜晶体管的栅极电连接,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接,所述钝化层位于所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间,且沿所述栅极线的延伸方向,所述钝化层的厚度逐渐改变。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明通过将薄膜晶体管所在层与像素电极所在层之间的钝化层设置为沿栅极线的延伸方向上厚度逐渐改变,能够改善显示画面的均一性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:
图1是本发明阵列基板一实施方式的俯面结构示意图;
图2是图1中阵列基板沿A-B方向的部分剖面结构示意图;
图3是本发明显示面板一实施方式的结构示意图;
图4是本发明阵列基板的制备方法一实施方式的流程示意图;
图5是本发明阵列基板的制备方法另一实施方式的部分流程示意图;
图6是图5中步骤S4021至S4024对应的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参阅图1和图2,图1是本发明阵列基板一实施方式的俯面结构示意图,图2是图1中阵列基板沿A-B方向的部分剖面结构示意图。
该阵列基板包括:栅极线101、薄膜晶体管102、钝化层103与像素电极104,可选的,该阵列基板还包括数据线106。
其中,薄膜晶体管102包括栅极1021、源极1022以及漏极1023。可选的,栅极线101与栅极1021由同一层金属制成,栅极线101与栅极1021电连接,像素电极104与漏极1023电连接。当需要显示画面时,栅极线101输入扫描信号至栅极1021以打开薄膜晶体管102,然后数据线106输入数据信号至源极1022,并经过漏极1023输入像素电极104。
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