[发明专利]增幅型I-line光阻组合物

说明书

一种增幅型I‑line光阻组合物，包括：一聚羟基苯乙烯衍生物树脂；一光酸引发剂；以及一小分子促进剂，为如下式(I‑1)至式(I‑3)所示的任一化合物：其中，X₁至X₇、R₁至R₁₂、n1、n2及m如说明书中所定义。

技术领域

本公开涉及一种增幅型I-line光阻组合物，尤其是涉及一种具有优异的解析度及高感度特性的增幅型I-line光阻组合物。

背景技术

在现今半导体黄光工艺中，例如薄膜晶体管基板的工艺中，所使用的曝光机曝光面积大，相对的透镜面积也较大，造成光源强度低与透镜数值孔径(numerical aperture，N.A.值)低。因此，为了配合此机器缺点，常使用高感光型DNQ光。

以目前而言，正型DNQ光阻一直是薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)黄光工艺中的重要关键材料，但此类光阻的工艺在1.5μm的膜厚下一直受限于2μm的解析度，且所得的图形无法具有垂直边壁。若转换使用增幅型光阻，不但可以进一步增加感度，减低工艺时间，也可得到边壁垂直的产品。然而，增幅型光阻需另加一道曝后烤(PEB)工艺来稳定线宽与减少光阻显影后残留，但因曝后烤工艺繁杂，几乎无法在现有的TFT-LCD的黄光工艺后多增加一道曝后烤工艺来替换原本DNQ光阻。

因此，若能发展出一种可无须通过曝后烤工艺的增幅型光阻，则可改善原本DNQ光阻解析度受限的问题，更可避免现有增幅型光组需要曝后烤工艺的限制，而更加适用于现有的半导体工艺。

发明内容

本公开的主要目的在于提供一种增幅型I-line光阻组合物，其具有优异的解析度及高感度特性。

本公开的增幅型I-line光阻组合物，包括：一聚羟基苯乙烯衍生物树脂；一光酸引发剂；以及一小分子促进剂，为如下式(I-1)至式(I-3)所示的任一化合物：

其中，X₁、X₂、X₃、X₄、X₅、X₆及X₇各自独立为且R_a为经取代或未经取代的C_1-20烷基、或经取代或未经取代的C_3-30环烷基，或R_a与O、和O相邻的C原子及甲基一同形成一五元或六元的杂环基；

每一R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁及R₁₂各自独立为氢、经取代或未经取代的C_1-20烷基、经取代或未经取代的C_3-30环烷基、经取代或未经取代的C_6-14芳基、卤素或其中R_f为经取代或未经取代的C_1-20烷基、或经取代或未经取代的C_3-30环烷基，或Rf与O、和O相邻的C原子及甲基一同形成一五元或六元的杂环基；

A为一单键、经取代或未经取代的C_1-20亚烷基、经取代或未经取代的C_3-30亚环烷基、经取代或未经取代的亚芴基或其中R_b及R_c各自独立为经取代或未经取代的C_1-20烷基，R_d及R_e各自独立为经且R_g为经取代或未经取代的C_1-20烷基、或经取代或未经取代的C_3-30环烷基，或R_g与O、和O相邻的C原子及甲基一同形成一五元或六元的杂环基，而p1及p2各自独立为0至4的整数；