[发明专利]一种两阶段式电泳工艺有效
| 申请号： | 201710615673.1 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309015B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王晓捧;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;史丽萍;杨玉聪;蔡瑞祥 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/316;H01L21/306 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阶段 电泳 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种两阶段式电泳工艺，其特征在于：步骤包括：S1、采用第一阶段电泳液对硅片进行电泳；S2、向使用过的所述第一阶段电泳液中添加玻璃粉和添加液，制成第二阶段电泳液；S3、将经过所述S1后的硅片放置在所述第二阶段电泳液中进行电泳；所述第一阶段电泳液为低浓度溶液，所述低浓度溶液为每8L～9L溶剂中添加60g～120g玻璃粉和2ml～7ml添加液；所述第二阶段电泳液具体为：每8L～9L溶剂中添加30g～50g所述玻璃粉和1ml～5ml所述添加液。
2.根据权利要求1所 述两阶段式电泳工艺，其特征在于：所述添加液为带电荷的溶液。
3.根据权利要求2所述两阶段式电泳工艺，其特征在于：所述添加液为酸性溶液。
4.根据权利要求1所述两阶段式电泳工艺，其特征在于：每8L～9L所述第一阶段电泳液用于电泳的时间为30min。
5.根据权利要求1所述两阶段式电泳工艺，其特征在于：每8L～9L所述第二阶段电泳液用于电泳的时间为30min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
