[发明专利]一种两阶段式电泳工艺有效
申请号: | 201710615673.1 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN109309015B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 王晓捧;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;史丽萍;杨玉聪;蔡瑞祥 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/316;H01L21/306 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阶段 电泳 工艺 | ||
一种两阶段式电泳工艺,步骤包括:S1、采用低浓度电泳液对硅片进行电泳;S2、向使用过的电泳液中添加额定量的玻璃粉和添加液;S3、将经过所述S1后的硅片放置在所述S2的电泳液中进行电泳。本发明相较于原工艺的有益效果是:电泳过程更稳定,槽内玻璃的造型更均匀、更对称,增强产品电性能的稳定,降低产品不良率;电泳液的二次利用,达到了提高玻璃粉的利用率的目的,降低电泳成本。
技术领域
本申请属于硅片湿法刻蚀技术领域,具体地说,涉及一种两阶段式电泳工艺。
背景技术
GPP是Glassivation passivation parts的缩写,是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯P/N结面四周烧制一层玻璃,玻璃与单晶硅有很好的结合特性,使P/N结获得最佳的保护,免受外界环境的侵扰,提高器件的稳定性,信赖性极佳。
目前使用的在单晶硅表面涂覆玻璃钝化层的方法是采用电泳法,通常达到所需要的玻璃层厚度的话,电泳液需要一定的浓度,而玻璃粉浓度高的电泳液进行电泳常常会出现很多不良,比如电泳过程不稳定、槽内玻璃造型不对称、甚至出现批量槽内玻璃不良的产品,导致GPP质量存在隐患。不良情况如图1和图3所示。
发明内容
有鉴于此,本申请所要解决的技术问题是提供了一种两阶段式电泳工艺,能够即能保证电泳玻璃的厚度,又能很好的改善电泳玻璃的品质,降低电泳成本。
为了解决上述技术问题,本申请公开了一种两阶段式电泳工艺,并采用以下技术方案来实现:
一种两阶段式电泳工艺,步骤包括:S1、采用第一阶段电泳液对硅片进行电泳;S2、向使用过的所述第一阶段电泳液中添加玻璃粉和添加液,制成第二阶段电泳液;S3、将经过所述S1后的硅片放置在所述第二阶段电泳液中进行电泳。
进一步的,所述第一阶段电泳液为低浓度溶液,所述低浓度溶液为每8L~9L溶剂中添加60g~120g玻璃粉和2ml~7ml添加液。
进一步的,所述第二阶段电泳液具体为:每8L~9L溶剂中添加30g~50g所述玻璃粉和1ml~5ml所述添加液。
进一步的,所述添加液为带电荷的溶液。
进一步的,所述添加液为带电荷的酸性溶液。
优选的,每8L~9L所述第一阶段电泳液用于电泳的时间为30min。
与现有技术光刻工艺相比,本申请可以获得包括以下技术效果:相较于原有在高浓度玻璃粉电泳液中进行一次电泳的工艺,本申请两阶段式电泳工艺电泳过程更稳定,槽内玻璃的造型更均匀、更对称,增强产品电性能的稳定,降低产品不良率;相较于在直接降低玻璃粉浓度的电泳液中进行两次电泳,本申请电泳液的二次利用,达到了提高玻璃粉的利用率的目的,降低电泳成本。
当然,实施本申请的任一产品必不一定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1是本申请未采用两阶段式电泳工艺电泳后槽内玻璃平面图。
图2是本申请采用两阶段式电泳工艺电泳后槽内玻璃平面图。
图3是本申请未采用两阶段式电泳工艺电泳后槽内玻璃截面图。
图4是本申请采用两阶段式电泳工艺电泳后槽内玻璃截面图。
图5是本申请采用两阶段式电泳工艺后槽内玻璃沿高度曲线图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造