[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710616913.X | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN108447859A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 林柏均;朱金龙 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶粒 半导体装置 堆迭 垂直 方式配置 横向相邻 信号路径 高速电子装置 半导体晶粒 制造 通信 应用 | ||
1.一种半导体装置，包括：
一半导体逻辑晶粒，具有一第一主动面与一内部传导件，该内部传导件自该半导体逻辑晶粒的该第一主动面延伸至一背面；
一半导体存储器晶粒，堆迭至该半导体逻辑晶粒上，其中该半导体逻辑晶粒的该第一主动面面对该半导体存储器晶粒的一第二主动面；以及
一凸块结构，电连接该第一主动面上的一第一终端至该第二主动面上的一第二终端。
2.如权利要求1所述的半导体装置，另包括一模制件，囊封该半导体逻辑晶粒与该半导体存储器晶粒。
3.如权利要求1所述的半导体装置，另包括穿过该模制件的一传导插塞。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该传导插塞垂直穿过该模制件。
5.如权利要求1所述的半导体装置，另包括一物件，其中该半导体逻辑晶粒的该背面附接至该物件。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该物件包括一重布线层。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体逻辑晶粒包括一基板与一电互连，以及该内部传导件包括穿过该基板的一传导插塞。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其中该传导插塞垂直穿过该基板。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体存储器晶粒电连接至该半导体逻辑晶粒，实质上没有一接合线存在于该半导体存储器晶粒与该半导体逻辑晶粒之间。
10.一种半导体装置的制造方法，包括：
附接一半导体存储器晶粒至一载体基板；
以一面对面方式堆迭一半导体逻辑晶粒至该半导体存储器晶粒上；
形成一模制件于该载体基板上，其中该模制件环绕该半导体存储器晶粒与该半导体逻辑晶粒；以及
移除该载体基板。
11.如权利要求10所述的制造方法，另包括：形成一物件于该半导体存储器晶粒的一背面上方，其中该物件实现该半导体装置的一横向信号路径。
12.如权利要求10所述的制造方法，其中形成该物件包括形成一重布线层。
13.如权利要求10所述的制造方法，另包括：形成多个传导凸块于该物件上方。
14.如权利要求10所述的制造方法，另包括：在形成该模制件于该载体基板上方之前，形成一传导插塞于该载体基板上方。
15.如权利要求10所述的制造方法，其中该半导体逻辑晶粒具有一第一主动面，该半导体存储器晶粒具有一第二主动面，以及该半导体逻辑晶粒附接至该半导体存储器晶粒时，该半导体逻辑晶粒的该第一主动面面对该半导体存储器晶粒的该第二主动面。
16.如权利要求15所述的制造方法，其中该半导体逻辑晶粒具有一内部传导件，自该半导体逻辑晶粒的该第一主动面延伸至一背面。
17.如权利要求10所述的制造方法，其中该半导体存储器晶粒电连接至该半导体逻辑晶粒，实质上没有一接合线存在于该半导体存储器晶粒与该半导体逻辑晶粒之间。
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