[发明专利]一种富硒双孢菇栽培方法

权利要求书

1.一种富硒双孢菇栽培方法，包括栽培基质制备、覆土的制备、接种及培养、后期管理、出菇管理和采收，其特征在于：所述栽培基质制备步骤为：取配方量亚硒酸钠和酵母硒，完全溶于水中，再加入配方量玉米粉，搅拌均匀得硒源，按配方量取玉米秸、麦秸、牛粪、鸡粪、中药渣、尿素、轻质碳酸钙、过磷酸钙、石膏粉、生石灰、杀菌剂，加水，搅拌均匀形成混合料，堆放发酵，然后加入配方量发酵剂，搅拌均匀，密封，二次发酵，再将硒源加入发酵产物中，然后条件发酵产物的含水量和pH，灭菌，冷却，即得富硒双孢菇栽培基质。

2.根据权利要求1所述的一种富硒双孢菇栽培方法，其特征在于：所述栽培基质制备步骤中栽培基质的成分及其重量份为：玉米秸22-28份、麦秸18-23份、牛粪20-26份、鸡粪15-18份、中药渣3-5份、玉米粉6-8份、亚硒酸钠0.01-0.015份、酵母硒0.005-0.008份、尿素2-4份、轻质碳酸钙1-2份、过磷酸钙0.7-1份、石膏粉1-2份、生石灰1-2份、杀菌剂0.013-0.016份、发酵剂1-2份。

3.根据权利要求1所述的一种富硒双孢菇栽培方法，其特征在于：所述栽培基质制备步骤中杀菌剂为毛蒿素、苜蓿酸和活性多肽的混合物，其重量比为1:0.7-1.2:0.1-0.3，活性多肽的氨基酸序列为HSHCRCLRCRVLHPGCVNCYRCSR。

4.根据权利要求1所述的一种富硒双孢菇栽培方法，其特征在于：所述栽培基质制备步骤中发酵前调节含水量为60-70%，第一次发酵时间为15-18d，每3-4天翻堆一次。

5.根据权利要求1所述的一种富硒双孢菇栽培方法，其特征在于：所述栽培基质制备步骤中二次发酵温度为25-30℃，时间为3-4d。

6.根据权利要求1所述的一种富硒双孢菇栽培方法，其特征在于：所述栽培基质制备步骤中二次发酵产物的含水量调至60-65%、pH为7.0-7.5，灭菌压力为1-2Kg/cm，温度为120-140℃，时间为2-3h。

7.根据权利要求1所述的一种富硒双孢菇栽培方法，其特征在于：所述覆土的制备步骤为：将取自于15-20cm以下的半活性半生的土，加入15-20％粗砂和1-3％石灰，调节含水量为60-70％、pH为7.2-7.8，然后充分搅拌后消毒，即得覆土。

8.根据权利要求1所述的一种富硒双孢菇栽培方法，其特征在于：所述接种及培养步骤中接种量为1.8-2.2％，培养温度为20-30℃、湿度为60-70%。

9.根据权利要求1所述的一种富硒双孢菇栽培方法，其特征在于：所述接种及培养步骤中覆土2-4cm，覆土后培养温度为20-25℃、湿度为70-80%。