[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

第一基底；

第一半导体芯片，布置在第一基底上方；

第二半导体芯片，布置在第一半导体芯片的顶表面上方；

粘合层，位于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间；

第二基底，设置在第二半导体芯片上，其中，第二基底基本覆盖第二半导体芯片的顶表面；以及

成型层，设置在第一基底与第二基底之间。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片具有与第二半导体芯片的厚度基本相同的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第二半导体芯片的顶表面沿着与第二半导体芯片的顶表面平行的方向与成型层的顶表面基本对齐。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

第一半导体芯片包括穿透第一半导体芯片的通电极，

第一半导体芯片包括面对第一基底的有源表面，

第二半导体芯片包括面对第一半导体芯片的有源表面。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片包括堆叠在第一基底上方的多个第一半导体芯片。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，粘合层还设置在所述多个第一半导体芯片中的相邻的第一半导体芯片之间。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，粘合层具有比第一半导体芯片和第二半导体芯片的宽度大的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括位于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的凸块，

其中，凸块将第二半导体芯片电连接到第一半导体芯片。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一基底包括：

氮化硅层，位于第一基底的底表面上；以及

外部互连端子，位于第一基底的底表面上，其中，外部互连端子电连接到第一半导体芯片。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一基底包括基体半导体芯片，基体半导体芯片包括穿透基体半导体芯片的基体通电极，

其中，第一半导体芯片电连接到基体半导体芯片。

11.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：

在第一基底的顶表面上安装芯片堆叠件，每个芯片堆叠件包括多个堆叠的半导体芯片和位于半导体芯片之间的粘合层；

在第一基底的顶表面上形成成型层；

去除成型层的一部分和每个芯片堆叠件的最顶部的芯片的一部分；以及

在每个芯片堆叠件的最顶部的芯片和成型层上形成第二基底。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在去除每个芯片堆叠件的最顶部的芯片的一部分之后，堆叠的半导体芯片中的每个具有基本相同的厚度。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，在去除每个芯片堆叠件的最顶部的芯片的一部分之后，每个最顶部的芯片的顶表面沿着与成型层的顶表面平行的方向与成型层的顶表面基本对齐。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，通过研磨工艺去除成型层的一部分和最顶部的芯片的一部分。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，粘合层具有比半导体芯片的宽度大的宽度。

16.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

第一基底；

多个半导体芯片，堆叠在第一基底上方，其中，所述多个半导体芯片中的每个半导体芯片具有彼此相同的厚度；

粘合层，包括粘合材料，其中，粘合层形成在所述多个半导体芯片中的每相邻半导体芯片之间，其中，粘合层比所述多个堆叠的半导体芯片的宽度宽，其中，与所述多个半导体芯片中的最顶部的半导体芯片相邻的粘合材料的第一量和与所述多个半导体芯片中的最底部半导体芯片相邻的粘合材料的第二量基本相同；以及

成型层，形成在粘合层的侧表面上。

17.根据权利要求16所述的半导体封装件，其中，与所述多个半导体芯片中的最顶部的半导体芯片相邻的粘合材料中的第一热膨胀系数和与所述多个半导体芯片中的最底部半导体芯片相邻的粘合材料的第二热膨胀系数基本相同。