[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

第一存储单元，电连接在第一位线及第一字线；

第二存储单元，电连接在第二位线及所述第一字线；以及

第一电路，对所述第一字线施加电压；且

所述第一电路：

在所述第一存储单元的读出中，对所述第一字线供给第一电压，且在供给所述第一电压之后对所述第一字线供给比所述第一电压小的第二电压作为第一读出电压，

在所述第二存储单元的读出中，对所述第一字线供给所述第一电压，且在供给所述第一电压后供给比所述第二电压小的第三电压之后，对所述第一字线供给所述第二电压作为所述第一读出电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

从所述第一电路至所述第一存储单元为止的距离，比从所述第一电路至所述第二存储单元为止的距离近。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第一电路：

在所述第一存储单元的读出中，在供给所述第二电压作为所述第一读出电压之后，对所述第一字线供给比所述第二电压大的第四电压作为第二读出电压，

在所述第二存储单元的读出中，在供给所述第二电压作为所述第一读出电压后对所述第一字线供给比所述第四电压大的第五电压之后，对所述第一字线供给所述第四电压作为所述第二读出电压。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第一电路：

在所述第一存储单元的读出中，在供给所述第二电压作为所述第一读出电压之后，对所述第一字线供给比所述第二电压小的第六电压作为第二读出电压，

在所述第二存储单元的读出中，在供给所述第二电压作为所述第一读出电压后对所述第一字线供给比所述第六电压小的第七电压之后，对所述第一字线供给所述第六电压作为所述第二读出电压。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备第三存储单元，该第三存储单元电连接在与所述第一位线相邻的第三位线、及所述第一字线，且

所述第一电路：

在所述第一存储单元的读出中，对所述第一位线施加第八电压，且对所述第二位线及所述第三位线施加比所述第八电压小的第九电压。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备第四存储单元，该第四存储单元电连接在与所述第二位线相邻的第四位线、及所述第一字线，且

所述第一电路：

在所述第二存储单元的读出中，对所述第二位线施加第八电压，且对所述第一位线及所述第四位线施加比所述第八电压小的第九电压。