[发明专利]一种重离子核孔铜箔的制作方法

权利要求书

1.一种重离子核孔铜箔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)辐照：将厚度≤60mm的铜箔用重离子加速器辐照，形成潜径迹，得到潜径迹铜箔；

(2)制备蚀刻液：在氯化铜溶液中加入氨水，发生络合反应，反应方程式如下：

CuCl₂+4NH₃→Cu(NH₃)₄Cl₂

(3)蚀刻：采用蚀刻液对步骤(1)所得到潜径迹铜箔进行蚀刻，在蚀刻过程中，铜箔表面以及潜径迹的铜被[Cu(NH₃)₄]²⁺络离子氧化，其蚀刻反应方程式如下：

Cu(NH₃)₄Cl₂+Cu→2Cu(NH₃)₂Cl

在蚀刻过程中，随着铜的溶解补加氨水和氯化铵，上述蚀刻反应生成的[Cu(NH₃)₂]⁺被空气中的O₂氧化，生成具有蚀刻能力的[Cu(NH₃)₄]²⁺络离子，其反应方程式如下：

2Cu(NH₃)₂Cl+2NH₄Cl+2NH₃+1/2O₂→2Cu(NH₃)₄Cl₂+2H₂O

蚀刻后得到核孔铜箔，蚀刻后的铜箔厚度减薄；铜箔减薄的厚度与所生成的孔的直径相同；

(4)将蚀刻后的核孔铜箔在纯水中采用超声波清洗，在80-95℃下烘干，然后打卷，即得成品。

2.根据权利要求1所述的重离子核孔铜箔的制作方法，其特征在于，步骤(1)将厚度10-50mm的铜箔用重离子加速器辐照。

3.根据权利要求1所述的重离子核孔铜箔的制作方法，其特征在于，步骤(4)将蚀刻后的核孔铜箔在纯水中采用超声波清洗，在88℃下烘干，然后打卷，即得成品。

4.根据权利要求1所述的重离子核孔铜箔的制作方法，其特征在于，所述重离子加速器采用中科院近代物理研究所建成的兰州重离子加速器(HIRFL)。