[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

n-型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；

p型区域，布置在所述n-型层中；

辅助n+型区域，布置在所述p型区域上或所述p型区域中；

n+型区域，布置在所述p型区域中；

辅助电极，布置在所述辅助n+型区域和所述p型区域上；

栅电极，与所述辅助电极分离并布置在所述n-型层上；

源电极，与所述辅助电极和所述栅电极分离；以及

漏电极，布置在所述n+型碳化硅衬底的第二表面处，

其中，所述辅助n+型区域与所述n+型区域彼此分离，并且

所述源电极与所述n+型区域接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述辅助电极与所述p型区域接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：

第一沟槽，布置在所述n-型层处；以及

栅极绝缘层，布置在所述第一沟槽中。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述栅电极布置在所述第一沟槽中，并且

所述辅助n+型区域布置为邻近于所述第一沟槽的侧表面。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述p型区域布置为邻近于所述第一沟槽的侧表面。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，进一步包括：

绝缘层，布置在所述栅电极、所述辅助电极以及所述源电极之间。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：

第二沟槽，布置在所述n-型层处且与所述第一沟槽分离。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，

所述p型区域布置为邻近于所述第二沟槽的侧表面，并且所述p型区域在所述第二沟槽的下表面以下延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述n+型区域布置在所述第二沟槽的下表面下方。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述辅助电极从所述辅助n+型区域的上方经由所述第二沟槽的侧表面而延伸至所述第二沟槽的下表面。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

栅极绝缘层，布置在所述n-型层、所述p型区域和所述辅助n+型区域上。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，

所述栅电极布置在所述栅极绝缘层上，并且

所述辅助电极布置在所述栅极绝缘层的侧表面处。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

绝缘层，布置在所述栅电极、所述辅助电极以及所述源电极之间。