[发明专利]一种硅片批量中转装置在审
申请号: | 201710625983.1 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN107634024A | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 张学强;戴军;张建伟;贾宇鹏 | 申请(专利权)人: | 罗博特科智能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 韩飞 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 批量 中转 装置 | ||
1.一种硅片批量中转装置,其特征在于,包括:
花篮切换机构(1);以及硅片顶升机构(2),
其中,花篮切换机构(1)包括传送组件(11)以及设于该传送组件(11)上的两组硅片花篮,两组所述硅片花篮在传送组件(11)的驱动下交替地作往复直线运动。
2.如权利要求1所述的硅片批量中转装置,其特征在于,花篮切换机构(1)的左右两端分别设有左初始工位、右初始工位、以及设于所述左初始工位与右初始工位之间的中转工位,硅片顶升机构(2)设于所述中转工位处并使得花篮切换机构(1)从其内部穿过。
3.如权利要求2所述的硅片批量中转装置,其特征在于,硅片顶升机构(2)包括:
设于传送组件(11)旁侧的至少一组顶升组件;以及
设于所述顶升组件正上方的硅片置中组件(23),
其中,所述顶升组件包括驱动部、支座、设于该支座上的竖直导轨、以及与该竖直导轨配接的顶升架,所述顶升架在所述驱动部的驱动下沿所述竖直导轨在竖直平面内升降。
4.如权利要求3所述的硅片批量中转装置,其特征在于,两组所述硅片花篮在水平面内交替地作往复直线运动,当所述顶升架位于最低处时,所述顶升组件位于所述硅片花篮的运动平面之下。
5.如权利要求3所述的硅片批量中转装置,其特征在于,硅片置中组件(23)包括:
支架(231);以及
设于支架(231)中的至少一组置中部,
其中,所述置中部包括由前驱动气缸(232)驱动的前置中片(2321)、以及由后驱动气缸(233)驱动的后置中片(2331),前置中片(2321)及后置中片(2331)相互平行且间隔一定的距离以形成位于两者之间的置中通道。
6.如权利要求5所述的硅片批量中转装置,其特征在于,前置中片(2321)及后置中片(2331)与所述硅片花篮的运动方向相平行。
7.如权利要求5所述的硅片批量中转装置,其特征在于,所述硅片花篮在所述置中部与顶升架之间往复穿梭。
8.如权利要求5所述的硅片批量中转装置,其特征在于,前置中片(2321)及后置中片(2331)的内侧均设有若干个用于夹持硅片的硅片夹持槽。
9.如权利要求1所述的硅片批量中转装置,其特征在于,传送组件(11)包括:
两根并列设置的主传送导轨(111);以及
设于主传送导轨(111)旁侧的辅传送导轨(112),
其中,主传送导轨(111)与辅传送导轨(112)平行且间隔设置,两根主传送导轨(111)部分重叠且重叠部分相固接。
10.如权利要求9所述的硅片批量中转装置,其特征在于,主传送导轨(111)及辅传送导轨(112)上分别设有用于承托所述硅片花篮的主滑块(1112)及辅滑块(1121),主传送导轨(111)上设有用于驱动主滑块(1112)往复滑移的驱动器(1111)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造