[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201710626481.0 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107393996B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 杨黎飞;张闻斌;李杏兵 | 申请（专利权）人： | 协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王乐 |
| 地址： | 201406 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：
晶体硅片；
第一掺杂非晶硅层，位于所述晶体硅片的一侧，且与所述晶体硅片构成异质PN结；
第一本征层，位于所述晶体硅片与所述第一掺杂非晶硅层之间；
第一电极，位于所述第一掺杂非晶硅层的外侧；
以及第二电极，位于所述晶体硅片的另一侧；
在所述晶体硅片靠近所述第一本征层的一侧表面向内形成有重掺杂带；所述重掺杂带与所述晶体硅片的外缘线之间的间距为0.1mm～0.5mm；所述重掺杂带与所述晶体硅片反型。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述重掺杂带的宽度为0.5mm～2mm。
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述重掺杂带的深度为0.1μm～0.6μm。
4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述重掺杂带的掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1020cm-3。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅片为N型，所述第一掺杂非晶硅层为P型，所述重掺杂带为P型。
6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括第一透明导电层，所述第一透明导电层位于所述第一掺杂非晶硅层与所述第一电极之间。
7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层的外缘线与所述晶体硅片的外缘线之间的间距为0.5mm～2mm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括位于所述第二电极与所述晶体硅片之间的加强电场结构，所述加强电场结构包括靠近所述晶体硅片设置的第二本征层、以及靠近所述第二电极设置的第二掺杂非晶硅层。
9.一种权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在晶体硅片的一侧表面向内形成重掺杂带；
对形成有重掺杂带的晶体硅片进行制绒；
在制绒后的硅片的一侧表面上形成第一本征层；
在所述第一本征层上形成第一掺杂非晶硅层；
在所述第一掺杂非晶硅层上形成第一电极；
以及在所述晶体硅片的另一侧形成第二电极。
10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述重掺杂带通过离子注入、热扩散、或激光掺杂形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
