[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明涉及一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片、第一本征层、第一掺杂非晶硅层、第一电极及第二电极；在晶体硅片靠近第一本征层的表面向内形成有重掺杂带；重掺杂带与晶体硅片的外缘线的间距为0.1～0.5mm；重掺杂带与晶体硅片反型。该电池由于在边缘形成重掺杂带；从而在边缘形成局部少数载流子加强收集区域，避免了边缘区域钝化效果差的问题，抑制了边缘少数载流子复合，进而提高电池的开路电压及填充因子，最终提高了光电转化效率。另因有重掺杂带，从而使边缘区域对少数载流子的导电性提高，提高边缘区域对于载流子的收集效率，提高异质结太阳能电池的短路电流，最终也提高了光电转化效率。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。

背景技术

异质结太阳能电池是一种典型的高效太阳能电池，其具有温度系数低，无光致衰减效应(LID)，无电势诱发衰减效应(PID)、以及可以双面发电等特点。太阳能电池的实际发电量可以比同标称功率的多晶硅电池高出15％～30％，尤其适合分布式发电市场的应用。

传统的异质结太阳能电池，一般由晶体硅片、掺杂非晶硅层、位于晶体硅片与掺杂非晶硅层之间的本征层、以及第一、第二电极构成。

但是，传统的异质结太阳能电池的光电转化效率有待进一步提高。

发明内容

基于此，有必要针对现有的异质结太阳能电池光电转化效率有待进一步提高的问题，提供一种新型的异质结太阳能电池结构，其可提高光电转化效率。

一种异质结太阳能电池，包括：

晶体硅片；

第一掺杂非晶硅层，位于所述晶体硅片的一侧，且与所述晶体硅片构成异质PN结；

第一本征层，位于所述晶体硅片与所述第一掺杂非晶硅层之间；

第一电极，位于所述第一掺杂非晶硅层的外侧；

以及第二电极，位于所述晶体硅片的另一侧；

在所述晶体硅片靠近所述第一本征层的一侧表面向内形成有重掺杂带；所述重掺杂带与所述晶体硅片的外缘线之间的间距为0.1mm～0.5mm；所述重掺杂带与所述晶体硅片反型。

上述异质结太阳能电池，由于在晶体硅片的边缘形成重掺杂带；从而在边缘形成局部少数载流子加强收集区域，避免了现有技术中边缘区域钝化效果差的问题，这样抑制了边缘区域的少数载流子复合，进而提高异质结太阳能电池的开路电压、以及填充因子，最终提高了异质结太阳能电池的光电转化效率。另外，由于在边缘形成有重掺杂带，从而使边缘区域对少数载流子的导电性提高，提高边缘区域对于载流子的收集效率，提高异质结太阳能电池的短路电流，最终也提高了异质结太阳能电池的光电转化效率。

在其中一个实施例中，所述重掺杂带的宽度为0.5mm～2mm。

在其中一个实施例中，所述重掺杂带的深度为0.1μm～0.6μm。

在其中一个实施例中，所述重掺杂带的掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～1×10²⁰cm^-3。

在其中一个实施例中，所述晶体硅片为N型，所述第一掺杂非晶硅层为P型，所述重掺杂带为P型。

在其中一个实施例中，所述异质结太阳能电池还包括第一透明导电层，所述第一透明导电层位于所述第一掺杂非晶硅层与所述第一电极之间。

在其中一个实施例中，所述第一透明导电层的外缘线与所述晶体硅片的外缘线之间的间距为0.5mm～2mm。