[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置在审
| 申请号： | 201710629300.X | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN108666284A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 野田有辉;久米一平;中村一彦;佐藤兴一 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 衬底 绝缘层 半导体 贯通电极 贯通孔 绝缘膜 制造 干式蚀刻 配线构造 缺陷产生 器件层 相反侧 面侧 贯通 覆盖 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
在半导体衬底的与第1面呈相反侧的第2面上形成第1绝缘膜，所述半导体衬底在所述第1面形成有覆盖配线构造的绝缘层及贯通所述绝缘层的第1贯通电极；
使用包含SF6、O2、SiF4、及CF4、Cl2、BCl3、CF3I与HBr中任1种以上的气体的气体，从所述第2面侧对形成有所述第1绝缘膜的所述半导体衬底进行各向异性干式蚀刻，由此形成使所述配线构造露出的贯通孔；及
在所述贯通孔内形成第2贯通电极。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述贯通孔在侧壁具有多个凸部，且相邻所述凸部间的距离与所述凸部的高度的比为1/5以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述各向异性干式蚀刻时，在所述贯通孔的侧壁上形成包含Si、O、及F、Cl、I、Br中至少1种以上元素的保护膜。
4.一种半导体装置，其特征在于包含：
半导体衬底；
器件层，位于所述半导体衬底的第1面，且包含配线；及
贯通电极，从所述第1面贯通至所述第1面的相反面的第2面，且形成于贯通孔内，所述贯通孔在侧壁具有相邻凸部间的距离与所述凸部的高度的比为1/5以下的多个凸部。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
在所述贯通孔的侧壁具有包含Si、O、及F、Cl、I、Br中至少1种以上元素的保护膜。
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