[发明专利]一种横向高压器件

权利要求书

1.一种横向高压器件，其特征在于：其元胞结构包括第二型掺杂衬底(1)、栅氧化层(21)、覆盖介质层(22)、源极第一型重掺杂区(31)、第一型掺杂条(32)、漏极第一型重掺杂区(33)、源极第二型重掺杂区(41)、第二型掺杂阱区(42)、第二型掺杂条(43)、源极接触电极(51)、漏极接触电极(54)、多晶硅栅(52)、体场板(53)、介质槽区(2)；所述第二型掺杂衬底(1)上表面设置有Z方向排列的第一型掺杂条(32)和第二型掺杂条(43)，所述第一型掺杂条(32)、第二型掺杂条(43)包围介质槽区(2)，且被所述介质槽区(2)截成U型，所述介质槽区(2)上表面置有覆盖介质层(22)，体场板(53)深入介质槽区(2)且其上端面与覆盖介质层(22)上端面平齐，所述体场板(53)左侧通过覆盖介质层(22)与漏极接触电极(54)相隔离，所述漏极接触电极(54)下表面置有漏极第一型重掺杂区(33)，所述漏极第一型重掺杂区(33)下边面与第一型掺杂条(32)、第二型掺杂条(43)相接触，所述体场板(53)右侧不与介质槽区(2)右边缘接触，其右上方和介质槽区(2)上方共同与源极接触电极(51)相接触，所述源极接触电极(51)右下方置有相互接触的源极第一型重掺杂区(31)与源极第二型重掺杂区(41)，所述源极第一型重掺杂区(31)和源极第二型重掺杂区(41)下表面与第二型掺杂阱区(42)相接触，所述第二型掺杂阱区(42)下表面与第二型掺杂条(43)和部分第一型掺杂条(32)相接触，所述第一型掺杂条(32)不与第二型掺杂阱区(42)接触的上表面置有栅氧化层(21)，栅氧化层(21)和多晶硅栅(52)构成槽栅结构，所述栅氧化层(21)为槽型且置于第二型掺杂阱区(42)、覆盖介质层(22)、源极第一型重掺杂区(31)内，所述栅氧化层(21)内部置有多晶硅栅(52)，所述多晶硅栅(52)不与栅氧化层(21)边缘接触。

2.根据权利要求1所述的一种横向高压器件，其特征在于：其是SOI器件，对于SOI器件来说衬底为第一型硅或第二型硅。

3.根据权利要求1所述的一种横向高压器件，其特征在于：第二型掺杂衬底(1)和第一型掺杂条(32)、第二型掺杂条(43)之间有外延层(34)，或者外延层(34)设置于SOI埋氧层(3)和第一型掺杂条(32)、第一型掺杂条(43)之间。

4.根据权利要求1所述的一种横向高压器件，其特征在于：所述介质槽区(2)，分为第一介质槽(61)、第二介质槽(62)、第三介质槽(63)……，从上到下介电常数依次增大。

5.根据权利要求1所述的一种横向高压器件，其特征在于：所述漏极接触电极(54)右侧下方邻接体场板(56)。

6.根据权利要求1所述的一种横向高压器件，其特征在于：将漏极第一型重掺杂区(33)变为集电极第二型重掺杂区(46)，所述器件由LDMOS变为LIGBT。

7.根据权利要求1所述的一种横向高压器件，其特征在于：所述第二型掺杂条(43)与第一型掺杂条(32)宽度不相同。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的一种横向高压器件，其特征在于：第一型为P型，第二型为N型；或者第一型为N型，第二型为P型。