[发明专利]显示基板及其制造方法和显示装置在审
申请号: | 201710631769.7 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107422513A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 杨昕 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 汪源,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板和位于衬底基板之上的缓冲层,所述缓冲层包括第一子缓冲层和第二子缓冲层,所述第一子缓冲层位于所述衬底基板之上,所述第二子缓冲层上设置有薄膜晶体管;
所述缓冲层还包括位于所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层之间的至少一层第三子缓冲层和/或至少一层第四子缓冲层,一层所述第三子缓冲层与所述第一子缓冲层相邻层设置,一层所述第四子缓冲层与所述第二子缓冲层相邻层设置,所述第三子缓冲层的导热系数小于所述第一子缓冲层的导热系数,所述第四子缓冲层的导热系数小于所述第二子缓冲层的导热系数。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第三子缓冲层的致密度小于所述第一子缓冲层的致密度。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第四子缓冲层的致密度小于所述第二子缓冲层的致密度。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第三子缓冲层的材料和所述第一子缓冲层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第四子缓冲层的材料和所述第二子缓冲层的材料相同。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述缓冲层包括第一子缓冲层、第二子缓冲层和位于所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层之间的一层第三子缓冲层和一层第四子缓冲层。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述缓冲层的厚度范围为至
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至7任一所述的显示基板。
9.一种显示基板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基板之上形成缓冲层,所述缓冲层包括第一子缓冲层、第二子缓冲层和位于所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层之间的至少一层第三子缓冲层和/或至少一层第四子缓冲层,一层所述第三子缓冲层与所述第一子缓冲层相邻层设置,一层所述第四子缓冲层与所述第二子缓冲层相邻层设置,所述第一子缓冲层位于所述衬底基板之上,所述第三子缓冲层的导热系数小于所述第一子缓冲层的导热系数,所述第四子缓冲层的导热系数小于所述第二子缓冲层的导热系数;
在所述第二子缓冲层上形成薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制造方法,其特征在于,所述缓冲层包括第一子缓冲层、第二子缓冲层和位于所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层之间的一层第三子缓冲层和一层第四子缓冲层;所述在衬底基板之上形成缓冲层包括:
在所述衬底基板之上沉积所述第一子缓冲层;
在所述第一子缓冲层之上沉积所述第三子缓冲层;
在所述第三子缓冲层之上沉积所述第四子缓冲层;
在所述第四子缓冲层之上沉积所述第二子缓冲层。
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