[发明专利]显示基板及其制造方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法和

显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)的应用也越来越广泛。

在LTPS显示基板的结构中，衬底基板和有源层之间需要设置缓冲层。缓冲层可包括SiN_x层和SiO₂层。其中，有源层的材料为多晶硅。

但是，现有技术中的缓冲层存在如下问题：在制造有源层的工艺过程中，需要对非晶硅(a-Si)进行晶化处理以形成多晶硅(p-Si)，由于缓冲层中的SiN_x层和SiO₂层的导热系数均较高，因此缓冲层的保温效果较差，导致对非晶硅进行晶化处理后的保温时间较短，形成的晶粒尺寸较小，晶界较多，从而增大了薄膜晶体管导通时的漏电流，进而导致薄膜晶体管的阈值电压不稳定，降低了薄膜晶体管的电性能。

发明内容

本发明提供一种显示基板及其制造方法和显示装置，用于提高薄膜晶体管的电性能。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，包括衬底基板和位于衬底基板之上的缓冲层，所述缓冲层包括第一子缓冲层和第二子缓冲层，所述第一子缓冲层位于所述衬底基板之上，所述第二子缓冲层上设置有薄膜晶体管；

所述缓冲层还包括位于所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层之间的至少一层第三子缓冲层和/或至少一层第四子缓冲层，一层所述第三子缓冲层与所述第一子缓冲层相邻层设置，一层所述第四子缓冲层与所述第二子缓冲层相邻层设置，所述第三子缓冲层的导热系数小于所述第一子缓冲层的导热系数，所述第四子缓冲层的导热系数小于所述第二子缓冲层的导热系数。

可选地，所述第三子缓冲层的致密度小于所述第一子缓冲层的致密度。

可选地，所述第四子缓冲层的致密度小于所述第二子缓冲层的致密度。

可选地，所述第三子缓冲层的材料和所述第一子缓冲层的材料相同。

可选地，所述第四子缓冲层的材料和所述第二子缓冲层的材料相同。

可选地，所述缓冲层包括第一子缓冲层、第二子缓冲层和位于所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层之间的一层第三子缓冲层和一层第四子缓冲层。

可选地，所述缓冲层的厚度范围为至

为实现上述目的，本发明提供了一种显示装置，包括上述显示基板。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板的制造方法，包括：

在衬底基板之上形成缓冲层，所述缓冲层包括第一子缓冲层、第二子缓冲层和位于所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层之间的至少一层第三子缓冲层和/或至少一层第四子缓冲层，一层所述第三子缓冲层与所述第一子缓冲层相邻层设置，一层所述第四子缓冲层与所述第二子缓冲层相邻层设置，所述第一子缓冲层位于所述衬底基板之上，所述第三子缓冲层的导热系数小于所述第一子缓冲层的导热系数，所述第四子缓冲层的导热系数小于所述第二子缓冲层的导热系数；

在所述第二子缓冲层上形成薄膜晶体管。

可选地，所述缓冲层包括第一子缓冲层、第二子缓冲层和位于所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层之间的一层第三子缓冲层和一层第四子缓冲层；所述在衬底基板之上形成缓冲层包括：

在所述衬底基板之上沉积所述第一子缓冲层；

在所述第一子缓冲层之上沉积所述第三子缓冲层；

在所述第三子缓冲层之上沉积所述第四子缓冲层；

在所述第四子缓冲层之上沉积所述第二子缓冲层。

本发明的有益效果：

本发明所提供的显示基板及其制造方法和显示装置的技术方案中，缓冲层包括第一子缓冲层、第二子缓冲层和位于第一子缓冲层和第二子缓冲层之间的至少一层第三子缓冲层和/或至少一层第四子缓冲层，第三子缓冲层的导热系数小于第一子缓冲层的导热系数，第四子缓冲层的导热系数小于第二子缓冲层的导热系数，通过增设第三子缓冲层和/或第四子缓冲层，提高了缓冲层的保温效果，延长了有源层制造过程中晶化处理的保温时间，使得结晶时形成的晶粒尺寸较大，晶界较多，从而降低了薄膜晶体管导通时的漏电流，提高了薄膜晶体管阈值电压的稳定性，提高了薄膜晶体管的电性能。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图；

图2为本发明实施例三提供的一种显示基板的制造方法的流程图；

图3为实施例三中形成第一子缓冲层的示意图；