[发明专利]一种配向膜涂布方法以及配向膜制备装置

权利要求书

1.一种配向膜涂布方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板一侧整版涂布配向膜溶液并形成整层膜层；

对所述整层膜层进行摩擦配向；

采用构图工艺对进行摩擦配向之后的所述整层膜层进行构图，形成配向膜图案。

2.根据权利要求1所述的配向膜涂布方法，其特征在于，所述构图工艺包括：

采用激光刻蚀方法进行刻蚀；或者，

采用等离子刻蚀方法进行刻蚀；或者，

采用先激光刻蚀后等离子刻蚀的方法进行刻蚀。

3.根据权利要求2所述的配向膜涂布方法，其特征在于，采用激光刻蚀方法进行刻蚀时，采用激光刻蚀装置对所述整层膜层进行刻蚀，形成配向膜图案。

4.根据权利要求2所述的配向膜涂布方法，其特征在于，采用等离子刻蚀方法进行刻蚀时，采用等离子刻蚀装置对所述整层膜层进行刻蚀，形成配向膜图案。

5.根据权利要求2所述的配向膜涂布方法，其特征在于，采用先激光刻蚀后等离子刻蚀的方法进行刻蚀时，先采用激光刻蚀装置对所述整层膜层进行软化，再采用等离子刻蚀装置对软化后的所述整层膜层进行轰击，形成配向膜图案。

6.一种配向膜制备装置，用于如以上权利要求1-5任一项所述的配向膜涂布方法，其特征在于，包括涂布装置、配向装置和构图装置，

所述涂布装置用于在衬底基板一侧整版涂布配向膜溶液并形成整层膜层；

所述配向装置用于对所述整层膜层进行摩擦配向；

所述构图装置用于采用构图工艺对进行摩擦配向之后的所述整层膜层进行构图，形成配向膜图案。

7.根据权利要求6所述的配向膜制备装置，其特征在于，所述构图装置为激光刻蚀装置，所述激光刻蚀装置包括激光束发射单元、平面准直镜、平面反射镜和平面聚焦镜：

所述激光束发射单元位于所述平面准直镜的焦点；所述平面准直镜位于所述激光束发射单元与所述平面反射镜之间，且所述平面准直镜的光轴与所述平面反射镜的镜面呈45°夹角，所述平面准直镜的光轴与所述平面聚焦镜的光轴垂直；所述平面聚焦镜的光轴与所述平面折反镜的镜面呈45°夹角。

8.根据权利要求6所述的配向膜制备装置，其特征在于，所述构图装置为等离子刻蚀装置，所述等离子刻蚀装置具有等离子发生腔，所述等离子发生腔通过管路连接有氧气源和氩气源；

所述等离子发生腔内安装有两个电极，两个所述电极分别与高频电源连接,以便充入所述等离子发生腔内的氩气和氧气经两个所述电极产生的快速变化的电场形成高速等离子流体；

所述等离子发生腔的端部安装有用于喷出所述等离子流体的喷嘴。

9.根据权利要求7或8所述的配向膜制备装置，其特征在于，所述构图装置还包括用于承载衬底基板的载物台。

10.根据权利要求9所述的配向膜制备装置，其特征在于，所述载物台为固定平台；或者，

所述载物台为移动平台。