[发明专利]一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法有效
| 申请号： | 201710641819.X | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109326501B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 赵厚莹 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 最终 抛光 清洗 方法 | ||
1.一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法，其特征在于，包括下述步骤：
使用聚合物清洗液去除最终抛光后的晶圆上残留的聚合物，所述聚合物清洗液为去离子水和表面活性剂的混合液体，所述表面活性剂为非离子型表面活性剂；
去除所述晶圆上残留的聚合物清洗液，包括以下步骤：
使用包括氧化试剂的清洗液清洗所述晶圆；
使用酸性清洗液清洗所述晶圆；
使用包括氧化试剂的清洗液再次清洗所述晶圆。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述表面活性剂的含量为0.05％～0.5％。
3.根据权利要求1-2中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，在去除所述晶圆上残留的聚合物清洗液之后，还包括：
使用RCA清洗工艺对所述晶圆进行清洗。
4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述RCA清洗工艺包括下述步骤：
去除所述晶圆上残留的颗粒和部分金属；
去除所述晶圆上残留的金属；
对所述晶圆进行亲水性处理；
对所述晶圆进行干燥处理。
5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述去除所述晶圆上残留的颗粒和部分金属包括：
使用第一清洗液清洗所述晶圆；
使用去离子水清洗所述晶圆。
6.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述去除所述晶圆上残留的金属包括：
使用第二清洗液清洗所述晶圆；
使用去离子水清洗所述晶圆。
7.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行亲水性处理的步骤包括：
使用包括氧化试剂的清洗液清洗所述晶圆。
8.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述干燥处理为纯水提拉干燥法或红外线干燥法或二者结合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710641819.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体晶圆的清洗方法
- 下一篇：半导体器件和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
