[发明专利]一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法

说明书

本发明提供一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法，该清洗方法包括：使用聚合物清洗液去除最终抛光后的晶圆上残留的聚合物；使用包括氧化试剂的清洗液清洗所述晶圆；使用酸性清洗液清洗所述晶圆；使用包括氧化试剂的清洗液再次清洗所述晶圆。该清洗方法可以避免抛光液中的聚合物与SC1发生脱水缩合反应，而产生会附着在晶圆上的、在整个清洗过程无法再去除的派生物，从而改善了清洗工艺的颗粒表现。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法。

背景技术

在集成电路制造之前，需要对半导体晶圆进行抛光，以提高晶圆的平整度。半导体晶圆的最终抛光是在最终抛光机(Final Polish)上利用抛光液(Slurry)及抛光垫(PAD)，以化学机械反应(Chemical Mechanical Reaction)的方式对诸如300mm晶圆的正面做最终抛光，以改善正面的粗糙度、平坦度与纳米形貌，并去除颗粒。最终抛光决定了晶圆最终的平坦度与纳米形貌。一般情况下最终抛光去除量在1um左右，抛光液一般为碱性二氧化硅，并向其中加入诸如聚合物(Polymer)等的其它添加物。

当完成最终抛光之后需要对晶圆进行清洗，以去除有机物，颗粒及金属等。目前一般的最终抛光后的清洗工艺使用RCA清洗法(即SC1(NH4OH+H2O2)，SC2(HCL+H2O2))。研究表明，抛光液中的聚合物在SC1中会发生脱水缩合反应，而脱水缩合产生的派生物会附着在晶圆上，并在整个清洗过程无法再去除，从而影响到清洗工艺的颗粒表现(ParticlePerformance)。

因此有必要提出一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法，可以避免抛光液中的聚合物与SC1发生脱水缩合反应，而产生的会附着在晶圆上的、在整个清洗过程无法再去除的派生物，从而改善了清洗工艺的颗粒表现(Particle Performance)。

为了克服目前存在的问题，本发明提供一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法，包括下述步骤：

使用聚合物清洗液去除最终抛光后的晶圆上残留的聚合物；

使用包括氧化试剂的清洗液清洗所述晶圆；

使用酸性清洗液清洗所述晶圆；

使用包括氧化试剂的清洗液再次清洗所述晶圆。

可选地，所述聚合物清洗液为去离子水和表面活性剂的混合液体。

可选地，所述表面活性剂为非离子型表面活性剂。

可选地，所述表面活性剂的含量为0.05％～0.5％。

可选地，在去除所述晶圆上残留的聚合物清洗液之后，还包括：

使用RCA清洗工艺对所述晶圆进行清洗。

可选地，所述RCA清洗工艺包括下述步骤：

去除所述晶圆上残留的颗粒和部分金属；

去除所述晶圆上残留的金属；

对所述晶圆进行亲水性处理；

对所述晶圆进行干燥处理。

可选地，所述去除所述晶圆上残留的颗粒和部分金属包括：

使用第一清洗液清洗所述晶圆；