[发明专利]晶片任意倒角面软抛光装置和操作方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电子晶体材料倒角面镜面抛光的装置及操作方法，具体涉及一种晶片任意倒角面软抛光装置和操作方法方法。

背景技术

为了避免晶片的崩边，通常在晶片抛光前对其进行倒角，并对倒角进行抛光。现有的晶片倒角设备主要是磨削设备，在对晶片倒角面进行抛光时主要靠手工操作，抛光角度难以控制，误差较大，抛光后倒角面均匀性一致性较差，加工效率低，成本高。

因此，很有必要在现有技术的基础上，设计一种结构设计合理，操作简便，易于对晶片倒角面进行抛光，工作效率高的晶片倒角面抛光装置。

发明内容

发明目的：本发明的目的是为了克服现有技术的不足。提供一种结构设计合理，操作简便，易于对晶片倒角面进行抛光，工作效率高的晶片倒角面抛光装置及其操作方法。

技术方案：为了实现以上目的，本发明所采用的主要技术方案为：

一种晶片任意倒角面软抛光装置，它包括：抛光盘，与抛光盘相连的旋转轴，与旋转轴相连的第二电机，抛光刷，与抛光刷相连的第一电机，第一电机通过螺钉固定在电机支架上，电机支架通过内六角螺栓固定在水平转臂上，水平转臂与滑架相连，滑架通过内衬套套在螺杆上，螺杆的外周设有衬套筒，衬套筒固定在支撑座上；

所述的抛光盘包括相互啮合连接的内齿轮、外齿轮和游星轮，所述的游星轮上开设有孔，承载盘通过螺钉固定安装在游星轮上，晶片通过石蜡均匀粘贴在承载盘上；

所述抛光装置的螺杆的顶部安装有固定盖板；

所述抛光刷位于抛光盘的上方，抛光刷包括刷炳、与刷炳相连的刷头和安装在刷头上的刷毛。

本发明所述的晶片任意倒角面软抛光装置的操作方法，其包括以下步骤：

a、先将研磨后的晶片通过石蜡均匀粘贴在承载盘上，再将承载盘通过螺钉安装在游星轮上，将抛光刷安装在第一电机上；

b、转动水平转臂，将抛光刷转动到抛光盘上表面，通过调整滑架的位置调整抛光刷与抛光盘的距离；然后将配制好的5微米磨料的抛光膏均匀涂敷在晶片和抛光刷上，开动第二电机，抛光盘内齿轮和外齿轮由旋转轴带动，然后带动游星轮转动，安装在游星轮中的承载盘随着游星轮的转动而转动，从而带动粘贴在承载盘上的晶片转动，安装在第一电机上的抛光刷在开动第一电机时，随第一电机的转动而转动，从而使得抛光刷与晶片作相对运动，对晶片进行粗抛光。

c、粗抛光结束后，用去离子水冲洗晶片表面和抛光盘，清洗掉晶片和抛光盘上的磨料，更换抛光刷，改用100纳米磨料的抛光膏均匀涂敷在晶片和抛光刷上，然后按照步骤b相同的操作方式进行精抛光；

d、精抛光结束后，关闭第一电机和第二电机，卸下承载盘，从承载盘上取下抛光好的晶片。

作为优选方案，以上所述的晶片任意倒角面软抛光装置的操作方法，步骤b中，控制第一电机的相对转速为40至80rpm，对晶片进行粗抛光。

作为优选方案，以上所述的晶片任意倒角面软抛光装置的操作方法，步骤c中，控制第一电机和第二电机的相对转速为100至150rpm。

作为优选方案，以上所述的晶片任意倒角面软抛光装置的操作方法，步骤b和步骤c中，所述的抛光膏包括磨料，表面活性剂，油脂和有机溶剂。

作为更加优选方案，以上所述的晶片任意倒角面软抛光装置的操作方法，步骤b和步骤c中，所述的抛光膏由下列质量百分比的原料组成，磨料的质量百分比为：20％～70％，有机溶剂的质量百分比为：20％～50％，表面活性剂的质量百分比为：0.5％～5％，油脂的质量百分比为：0.5％～5％。

作为特别优选的技术方案，经过大量实验筛选得到，所述的抛光膏由下列质量百分比的原料组成，磨料的质量百分比为：50％，有机溶剂的质量百分比为：46％，表面活性剂的质量百分比为：2％，油脂的质量百分比为：2％。，其中步骤b磨料的粒径为5微米，步骤c磨料的粒径为100纳米。

作为优选方案，以上所述的晶片任意倒角面软抛光装置的操作方法，磨料为人造金刚石微分、碳化硅、棕刚玉、立方碳化硼、氧化铈中的一种或它们的混合物；

表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵、脂肪醇聚氧乙烯醚磺基琥珀酸单酯二钠中的一种或任意两种的混合物；

油脂为黄油或润滑油中的一种；有机溶剂为煤油或汽油中的一种。

有益效果：本发明和现有技术相比具有以下优点：

本发明提供的晶片任意倒角面软抛光装置，结构设计合理，使用灵活，加工效率高，抛光后晶片的倒角面均匀性好，且可对倒角的任意面进行精确抛光。