[发明专利]彩膜基板的制备方法及喷墨打印装置在审

专利信息
申请号: 201710645586.0 申请日: 2017-07-31
公开(公告)号: CN107390419A 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 谷晓飞;付开鹏;华明;石海军;王亮;毕建强 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;B41M5/00;B41J2/01;B41J3/407
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 代理人: 张京波,曲鹏
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 彩膜基板 制备 方法 喷墨 打印 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,具体涉及一种彩膜基板的制备方法及喷墨打印装置。

背景技术

彩色液晶显示装置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)在人们的日常生活中扮演着重要角色,无论是电视、手机,还是掌上游戏机、医学显示系统,TFT-LCD的身影都无处不在。彩膜(Color Filter,CF)基板是TFT-LCD的重要组成部分,在TFT-LCD中起到实现彩色显示的作用。

彩膜基板包括形成在基底上的黑矩阵以及形成在黑矩阵之间的光阻材料。现有技术中,彩膜基板的制备方法主要有颜料分散法和喷墨打印法。其中喷墨打印法在近年来发展迅速,由于其制程简单、生产成本低、节省材料等优点为众多显示器件厂商所青睐。

目前,喷墨打印法制备彩膜基板的主要制程如下:首先在基底上采用颜料分散法涂布黑矩阵光阻材料,然后用光刻工艺将黑矩阵光阻材料制成相应的图形,形成黑矩阵;用喷墨打印的方法在黑矩阵之间的空隙处喷涂红、绿、蓝三色光阻材料,形成红、绿、蓝光阻。现有的制程中,由于在形成黑矩阵时采用了涂布和光刻工艺,因此产生了较高的材料成本和制造成本,而且生产效率也较低。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种彩膜基板的制备方法及喷墨打印装置,以解决现有制程因采用涂布和光刻工艺形成黑矩阵导致的材料、制造成本高、生产效率低的问题。

为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种彩膜基板的制备方法,包括:

将掩膜版对位设置在基底上,掩膜版设置有镂空区域,镂空区域与基底上设置黑矩阵的位置相对应;

向掩膜版的镂空区域喷涂黑矩阵光阻材料,在基底上形成黑矩阵;

对黑矩阵进行固化处理。

可选地,该制备方法还包括:在所述黑矩阵之间形成彩色光阻。

可选地,对黑矩阵进行固化处理,包括:采用红外式加热设备或电阻式加热设备加热所述黑矩阵,黑矩阵固化后移除掩膜版。

可选地,加热温度为115℃至125℃。

可选地,所述黑矩阵光阻材料包括碳黑。

本发明实施例还提供了一种喷墨打印装置,包括:

基台,用于承载对位设置好掩膜版的基底;

第一喷头,设置在所述基台的上方,用于向掩膜版的镂空区域喷涂黑矩阵光阻材料,在基底上形成黑矩阵。

可选地,喷墨打印装置还包括加热设备,所述加热设备设置在基台上或基台周围,用于对黑矩阵进行固化。

可选地,加热设备的加热温度为115℃至125℃。

可选地,第一喷头包括:

第一储存体,用于储存黑矩阵光阻材料;

第一分流体,通过管路与第一储存体连接,用于从第一储存体获取黑矩阵光阻材料;

多个第一喷嘴,设置在所述第一分流体上,用于将第一分流体中的黑矩阵光阻材料喷涂到掩膜版的镂空区域。

可选地,喷墨打印装置还包括第二喷头,所述第二喷头设置在所述基台的上方,用于在所述黑矩阵之间喷涂彩色光阻材料,在所述基底上形成彩色光阻。

本发明实施例提供了一种彩膜基板的制备方法及喷墨打印装置,通过喷墨打印技术在基底上形成黑矩阵,解决现有制程因采用涂布和光刻工艺形成黑矩阵导致的材料、制造成本高、生产效率低的问题。与现有颜料分散法形成黑矩阵相比,避免了涂胶设备及光刻设备的使用,节省了大量设备成本,同时节省了大量黑矩阵光阻材料及掩膜材料,简化了工艺步骤、缩短了制备时间。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其它优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为本发明实施例彩膜基板的制备方法的流程图;

图2为掩膜版对位设置在基底上的结构示意图;

图3为本发明第二实施例喷墨打印装置的结构示意图;

图4为本发明第三实施例喷墨打印装置的结构示意图。

附图标记说明:

10-基底; 20-掩膜版; 21-镂空区域;

31一第一储存体;32-第一分流体; 33-第一喷嘴;

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