[发明专利]SiC晶片的生成方法

权利要求书

1.一种SiC晶片的生成方法，从单晶SiC锭生成SiC晶片，该单晶SiC锭具有：第一面；与该第一面相反的一侧的第二面；c轴，其从该第一面至该第二面相对于该第一面的垂线倾斜；以及c面，其与该c轴垂直，在该单晶SiC锭中通过该c面和该第一面形成偏离角，其特征在于，

该SiC晶片的生成方法包含如下的工序：

分离层形成工序，将对于SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离该第一面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，并且一边在与形成有该偏离角的第2方向垂直的第1方向上对该单晶SiC锭和该聚光点相对地进行加工进给，一边对该单晶SiC锭照射脉冲激光光线，从而形成由改质层和裂纹构成的分离层，其中，通过对该单晶SiC锭照射脉冲激光光线而将SiC分离成Si和C，接下来照射的脉冲激光光线被之前形成的C吸收而连锁性地将SiC分离成Si和C从而形成所述改质层，所述裂纹从该改质层起沿着c面延伸；

剥离面生成工序，在该第2方向上对该单晶SiC锭和该聚光点相对地进行转位进给而多次实施该分离层形成工序，从而生成由多个分离层构成的剥离面；以及

晶片生成工序，以该剥离面为界面将该单晶SiC锭的一部分剥离而生成SiC晶片，

在该剥离面生成工序中，

脉冲激光光线的能量密度被设定为如下的能量密度：重叠照射在之前形成的分离层上的脉冲激光光线不会因在分离层上发生反射而在分离层的上方形成损伤层，或者不会因透过分离层而在分离层的下方形成损伤层。

2.根据权利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，

在该剥离面生成工序中，

在将每1脉冲的能量密度设为E(J/cm²)，

将加工进给速度设为V(mm/s)的情况下，以

0V≤600

0.184≤E

为条件，设定为

-0.35+0.0042×(V-100)≤E≤0.737+0.0024×(V-100)。