[发明专利]SiC晶片的生成方法

说明书

提供SiC晶片的生成方法，实现生产性的提高。一种SiC晶片的生成方法，从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该SiC晶片的生成方法包含如下工序：剥离面生成工序，在SiC锭的内部形成多个由改质层和从改质层起沿着c面延伸的裂纹构成的分离层而生成剥离面；以及晶片生成工序，以剥离面为界面将锭的一部分剥离而生成SiC晶片。在剥离面生成工序中，脉冲激光光线的能量密度被设定为如下的能量密度：重叠照射在之前形成的分离层上的脉冲激光光线不会因在分离层上反射而在分离层的上方形成损伤层，或者不会因透过分离层而在分离层的下方形成损伤层。

技术领域

本发明涉及SiC晶片的生成方法，从单晶SiC锭生成SiC晶片。

背景技术

IC或LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al₂O₃(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并通过分割预定线进行划分而形成的。并且，功率器件或LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并通过分割预定线进行划分而形成的。通过切削装置或激光加工装置对分割预定线实施加工而将形成有器件的晶片分割成各个器件芯片。分割得到的各器件芯片被应用在移动电话或个人计算机等电子设备中。

形成器件的晶片通常是利用线切割机将圆柱形的锭较薄地切断而生成的。通过对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨而精加工成镜面(参照专利文献1。)。然而，当利用线切割机将锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，锭的大部分(70～80％)被舍弃，存在不经济的问题。特别是在单晶SiC锭中，硬度较高因而利用线切割机进行的切断很困难，需要相当长的时间，所以生产性较差，并且锭的单价较高因而在高效地生成晶片方面存在课题。

因此，提出了如下技术：将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在SiC锭的内部而对SiC锭照射激光光线从而在切断预定面上形成改质层，将形成有改质层的切断预定面切断而从SiC锭生成SiC晶片(参照专利文献2。)。但是，要想从SiC锭生成SiC晶片，必须隔着10μm左右的间隔紧密地形成改质层，存在生产性较差的问题。

专利文献1：日本特开2000-94221号公报

专利文献2：日本特开2013-49161号公报

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供SiC晶片的生成方法，实现生产性的提高。

根据本发明，提供SiC晶片的生成方法，从单晶SiC锭生成SiC晶片，该单晶SiC锭具有：第一面；与该第一面相反的一侧的第二面；c轴，其从该第一面至该第二面相对于该第一面的垂线倾斜；以及c面，其与该c轴垂直，在该单晶SiC锭中通过该c面和该第一面形成偏离角，其中，该SiC晶片的生成方法包含如下的工序：分离层形成工序，将对于SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离该第一面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，并且一边在与形成有该偏离角的第2方向垂直的第1方向上对该单晶SiC锭和该聚光点相对地进行加工进给，一边对该单晶SiC锭照射脉冲激光光线，从而形成由改质层和裂纹构成的分离层，其中，通过对该单晶SiC锭照射脉冲激光光线而将SiC分离成Si和C，接下来照射的脉冲激光光线被之前形成的C吸收而连锁性地将SiC分离成Si和C从而形成所述改质层，所述裂纹从该改质层起沿着c面延伸；剥离面生成工序，在该第2方向上对该单晶SiC锭和该聚光点相对地进行转位进给而多次实施该分离层形成工序，从而生成由多个分离层构成的剥离面；以及晶片生成工序，以该剥离面为界面将该单晶SiC锭的一部分剥离而生成SiC晶片，在该剥离面生成工序中，脉冲激光光线的能量密度被设定为如下的能量密度：重叠照射在之前形成的分离层上的脉冲激光光线不会因在分离层上发生反射而在分离层的上方形成损伤层，或者不会因透过分离层而在分离层的下方形成损伤层。

优选在该剥离面生成工序中，

在将每1脉冲的能量密度设为E(J/cm²)，将加工进给速度设为V(mm/s)的情况下，以