[发明专利]量子点复合发光层的制备方法、QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点复合发光层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

将软模板剂与量子点加入到溶剂中，混合均匀后形成均一溶液；

在基板上沉积表面带官能团的碳材料层，将所述均一溶液沉积在所述碳材料层上形成量子点薄膜，去除所述量子点薄膜中的所述软模板剂，形成量子点复合发光层；

其中，所述软模板剂为乙氧基丙氧基形成的两亲性三嵌段聚合物，包括聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物、聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯嵌段共聚物中的至少一种。

2.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

将软模板剂与量子点加入到溶剂中，混合均匀后形成均一溶液；

在衬底上依次沉积底电极和第一功能层；

在所述第一功能层上沉积表面带官能团的碳材料层，将所述均一溶液沉积在所述碳材料层上形成量子点薄膜，去除所述量子点薄膜中的所述软模板剂，形成量子点复合发光层；

在所述量子点复合发光层上依次沉积第二功能层和顶电极；

其中，所述软模板剂为乙氧基丙氧基形成的两亲性三嵌段聚合物，包括聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物、聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯嵌段共聚物中的至少一种。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述软模板剂与所述量子点的质量比为1:(0.02-20)。

4.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述碳材料层的材料包括石墨烯、氧化石墨烯、碳纳米管、介孔碳、碳纤维、碳纳米颗粒、富勒烯、碳量子点、石墨、碳气凝胶中的至少一种。

5.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述官能团包括碳碳双键、碳碳叁键、卤素原子、羟基、醚基、巯基、硫醚基、醛基、羰基、羧基、酯基、硝基、亚硝基、氨基、亚胺基、磺基、酰基、硝酰基、磺酰基、氰基、异氰基、腙基、膦基、肟基、环氧基、偶氮基、芳香环基中的至少一种。

6.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述量子点包括无机半导体纳米晶、无机钙钛矿型半导体、有机-无机杂化钙钛矿型半导体中的至少一种。

7.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂包括饱和烃、不饱和烃、芳香烃、醇、酮、醚、酯、以及它们的衍生物中的至少一种。

8.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，去除所述量子点薄膜中的所述软模板剂的方式为热处理，所述热处理的温度为60℃-180℃，所述热处理的时间为15min-120min。

9.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述量子点复合发光层的厚度为5nm-200nm。

10.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，

所述在衬底上依次沉积底电极和第一功能层的步骤包括：

在所述衬底上沉积阳极；

在所述阳极上沉积至少一层空穴注入层；

在所述空穴注入层上沉积至少一层空穴传输层；

所述在所述量子点复合发光层上依次沉积第二功能层和顶电极的步骤包括：

在所述量子点复合发光层上沉积电子传输层；

在所述电子传输层上沉积阴极；或者

所述在衬底上依次沉积底电极和第一功能层的步骤包括：

在所述衬底上沉积阴极；

在所述阴极上沉积电子传输层；

所述在所述量子点复合发光层上依次沉积第二功能层和顶电极的步骤包括：

在所述量子点复合发光层上沉积至少一层空穴传输层；

在所述空穴传输层上沉积至少一层空穴注入层；

在所述空穴注入层上沉积阳极。

11.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件由如权利要求2-10任一项所述的制备方法制备获得。