[发明专利]量子点复合发光层的制备方法、QLED器件及其制备方法

说明书

本发明属于显示器件领域，提供了量子点复合发光层的制备方法、QLED器件及其制备方法。本发明提供的量子点复合发光层的制备方法，通过将软模板剂与量子点在溶剂中混合均匀后形成均一溶液，将该溶液沉积在碳材料层的表面上形成量子点薄膜，再将该量子点薄膜中的软模板剂除去，得到量子点复合发光层。在此过程中，量子点均匀分布在量子点薄膜中，量子点的排布紧密程度及厚度能够通过改变软模板剂的添加量、软模板剂的种类进行轻松地调控，从而提高器件的发光均匀性和稳定性；同时，碳材料层的引入不仅能作为量子点排序的平台，对量子点具有锚定作用，而且其优异的导电性能可以提高载流子的传输和注入，从而提高器件的发光效率；此外，该方法工艺简单，成本低，可实现大规模生产。

技术领域

本发明属于显示器件领域，尤其涉及量子点复合发光层的制备方法、QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点(Quantum dot，QD)是一种准零维纳米材料，类似超晶格和量子阱，其颗粒大小约为1nm-100nm，具有量子限域效应、表面效应、量子尺寸效应和量子隧道效应等性能，以及单色性好、色纯度高、发光光谱窄等突出优点，是一种非常有前景的纳米材料。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dots light-emitting diode,QLED)，是一种新型的显示技器件。量子点显示的优势在于色域覆盖广、色彩容易控制以及色纯度高等优点，被认为是显示技术的新星，同时也被认为是显示技术的革命性代表。

目前，在QLED的制备技术中，最常用且最有希望实现大规模产业化的生产加工方法是溶液成膜法，特别是器件中的除电极外的量子点发光层以及各种功能层。例如，对于量子点发光层的沉积方法，目前大多数溶液相成膜工艺是将表面配体功能化的量子点溶于有机溶剂中，配置成量子点溶液或量子点墨水，接着通过旋涂或印刷方式沉积衬底或底功能层上，然后采用同样的成膜方法在量子点发光层上沉积电子传输层(如ZnO)，最后蒸镀电极，得到QLED器件。但是，量子点的颗粒尺寸与普通离子或有机小分子相比较大，并且量子点表面含有丰富的有机配体，成膜后量子点颗粒之间的连接并不紧密，膜层相对松散，同时与其下方的空穴传输层之间紧密度低，沉积后的量子点仍有很大机会在后续其他功能层的溶液法成膜过程中重新溶解带走或直接冲走，导致量子点膜层不均匀，以及器件发光不均匀。即使采用难溶解量子点的溶剂，也难以避免该过程的发生，而且也因为这样，后续功能层材料的选择也会受到其可选溶剂的限制。

因此，现有的量子点发光层存在成膜不均匀、结构松散、容易出现团聚和覆盖不全等造成的发光层发光不均匀、不稳定等问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点复合发光层的制备方法、QLED器件及其制备方法，旨在解决现有的量子点发光层成膜不均匀、结构松散、容易出现团聚和覆盖不全等造成的发光层发光不均匀、不稳定等问题。

本发明提供了一种量子点复合发光层的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

将软模板剂与量子点加入到溶剂中，混合均匀后形成均一溶液；

在基板上沉积表面带官能团的碳材料层，将所述均一溶液沉积在所述碳材料层上形成量子点薄膜，去除所述量子点薄膜中的所述软模板剂，形成量子点复合发光层。

本发明提供了一种QLED器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

将软模板剂与量子点加入到溶剂中，混合均匀后形成均一溶液；

在衬底上依次沉积底电极和第一功能层；

在所述第一功能层上沉积表面带官能团的碳材料层，将所述均一溶液沉积在所述碳材料层上形成量子点薄膜，去除所述量子点薄膜中的所述软模板剂，形成量子点复合发光层；

在所述量子点复合发光层上依次沉积第二功能层和顶电极。

本发明还提供了一种QLED器件，所述QLED器件由如上所述的制备方法制备获得。