[发明专利]一种QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种QLED器件，所述器件包括依次设置的衬底、底电极、第一功能层、发光层、第二功能层以及顶电极，其特征在于，所述发光层包括

设置在所述第一功能层上的表面带官能团的碳材料层；

设置在所述碳材料层上的多孔硅膜层，所述多孔硅膜层的孔隙填充有量子点。

2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述孔隙的直径为4nm-200nm。

3.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述多孔硅膜层的膜层厚度为5nm-200nm。

4.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述多孔硅膜层由硅烷偶联剂、嵌段共聚物、强酸促进剂以及有机溶剂制成。

5.如权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述多孔硅膜层由硅烷偶联剂、嵌段共聚物、强酸促进剂以及有机溶剂的质量比为1:(0.0001-0.01):(0.0001-0.01):(0.5-50):(0.5-100)。

6.如权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述嵌段共聚物所含的嵌段包括聚乙二醇、聚氧乙烯、聚氧丙烯、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚乙烯吡喏烷酮、长链全氟烷基、聚硅氧烷基、聚乳酸、乳酸-羟基乙酸共聚物、聚ε-己内酯、聚苄基天门冬氨酸、聚苄基谷氨酸、聚苯乙烯、聚异丙基丙烯酰胺中的至少一种。

7.如权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述有机溶剂包括饱和烃、不饱和烃、芳香烃、醇、酮、醚、酯、以及它们的衍生物中的至少一种。

8.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述碳材料层的材料包括石墨烯、氧化石墨烯、碳纳米管、介孔碳、碳纤维、碳纳米颗粒、富勒烯、碳量子点、石墨、碳气凝胶中的至少一种。

9.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述官能团包括碳碳双键、碳碳叁键、卤素原子、羟基、醚基、巯基、硫醚基、醛基、羰基、羧基、酯基、硝基、亚硝基、氨基、亚胺基、磺基、酰基、硝酰基、磺酰基、氰基、异氰基、腙基、膦基、肟基、环氧基、偶氮基、芳香环基中的至少一种。

10.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述量子点包括无机半导体纳米晶、无机钙钛矿型半导体、有机-无机杂化钙钛矿型半导体中的至少一种。

11.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

在衬底上依次沉积底电极和第一功能层；

在所述第一功能层上沉积表面带官能团的碳材料层，在所述碳材料层上沉积多孔硅膜层并于所述多孔硅膜层上沉积量子点，得到发光层；或提供表面带官能团的碳材料层，在所述碳材料层上沉积多孔硅膜层形成复合层，将所述复合层沉积于所述第一功能层上，于所述复合层的所述多孔硅膜层上沉积量子点，得到发光层；

在所述发光层上依次沉积第二功能层和顶电极。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述多孔硅膜层的制备步骤包括：

按预设比例提供硅烷偶联剂、嵌段共聚物、强酸促进剂以及有机溶剂；

将所述硅烷偶联剂、所述嵌段共聚物、所述强酸促进剂以及所述有机溶剂混合，形成混合溶液；

将所述混合溶液沉积在所述碳材料层上并加热固化。

13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂、所述嵌段共聚物、所述强酸促进剂以及所述有机溶剂的混合质量比为1:(0.0001-0.01):(0.0001-0.01):(0.5-50):(0.5-100)。

14.如权利要求12或13所述的制备方法，其特征在于，所述加热固化的温度为60℃-500℃。