[发明专利]一种QLED器件及其制备方法

说明书

本发明属于显示器件领域，提供了QLED器件及其制备方法。本发明提供的QLED器件，其发光层引入了表面带官能团的碳材料层和孔隙填充有量子点的多孔硅膜层，一方面，量子点填充在多孔硅膜层的孔隙中，量子点的排布紧密程度及厚度能够通过改变多孔硅膜层的空隙率、空隙大小及膜厚等进行轻松地调控，从而提高器件的发光均匀性和稳定性；另一方面，表面带官能团的碳材料层的引入不仅能作为量子点排序的平台，而且其优异的导电性能可以提高载流子的传输和注入，从而提高器件的发光效率。

技术领域

本发明属于显示器件领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点(Quantum dot，QD)是一种准零维纳米材料，类似超晶格和量子阱，其颗粒大小约为1nm-100nm，具有量子限域效应、表面效应、量子尺寸效应和量子隧道效应等性能，以及单色性好、色纯度高、发光光谱窄等突出优点，是一种非常有前景的纳米材料。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dots light-emitting diode,QLED)，是一种新型的显示技器件。量子点显示的优势在于色域覆盖广、色彩容易控制以及色纯度高等优点，被认为是显示技术的新星，同时也被认为是显示技术的革命性代表。

目前，在QLED的制备技术中，最常用且最有希望实现大规模产业化的生产加工方法是溶液成膜法，特别是器件中的除电极外的量子点发光层以及各种功能层。例如，对于量子点发光层的沉积方法，目前大多数溶液相成膜工艺是将表面配体功能化的量子点溶于有机溶剂中，配置成量子点溶液或量子点墨水，接着通过旋涂或印刷方式沉积衬底或底功能层上，然后采用同样的成膜方法在量子点发光层上沉积电子传输层(如ZnO)，最后蒸镀电极，得到QLED器件。但是，量子点的颗粒尺寸与普通离子或有机小分子相比较大，并且量子点表面含有丰富的有机配体，成膜后量子点颗粒之间的连接并不紧密，膜层相对松散，同时与其下方的空穴传输层之间紧密度低，沉积后的量子点仍有很大机会在后续其他功能层的溶液法成膜过程中重新溶解带走或直接冲走，导致量子点膜层不均匀，以及器件发光不均匀。即使采用难溶解量子点的溶剂，也难以避免该过程的发生，而且也因为这样，后续功能层材料的选择也会受到其可选溶剂的限制。

因此，现有的QLED器件存在由于量子点发光层成膜不均匀、结构松散、容易出现团聚和覆盖不全等造成的器件发光不均匀和器件不稳定等问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有的QLED器件存在由于量子点发光层成膜不均匀、结构松散、容易出现团聚和覆盖不全等造成的器件发光不均匀和器件不稳定等问题。

本发明提供了一种QLED器件，所述器件包括依次设置的衬底、底电极、第一功能层、发光层、第二功能层以及顶电极，所述发光层包括

设置在所述第一功能层上的表面带官能团的碳材料层；

设置在所述碳材料层上的多孔硅膜层，所述多孔硅膜层的孔隙填充有量子点。

本发明还提供了一种QLED器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

在衬底上依次沉积底电极和第一功能层；

在所述第一功能层上沉积表面带官能团的碳材料层，在所述碳材料层上沉积多孔硅膜层并于所述多孔硅膜层上沉积量子点，得到发光层；或提供表面带官能团的碳材料层，在所述碳材料层上沉积多孔硅膜层形成复合层，将所述复合层沉积于所述第一功能层上，于所述复合层的所述多孔硅膜层上沉积量子点，得到发光层；

在所述发光层上依次沉积第二功能层和顶电极。