[发明专利]半导体存储装置及存储器系统

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

第1存储单元组，包含多个第1存储单元；

字线，共通地连接在所述多个第1存储单元；及

控制电路，控制写入动作，所述写入动作具备：第1模式，执行包含第1编程及第1验证的第1编程循环至少1次以上；及第2模式，重复进行包含第2编程及第2验证的第2编程循环；且

所述控制电路在依次执行所述第1及第2模式的情况下，在所述第1编程循环中，在对所述字线施加第1电压而执行所述第1编程后，一边使施加到所述字线的第2电压升压，一边重复进行所述第1验证，直到所述第1存储单元的断开单元数成为阈值以下为止，基于所述第1电压与所述断开单元数从多于所述阈值的状态到成为所述阈值以下为止重复进行所述第1验证的次数来决定低于所述第1电压的第3电压，在第1次的所述第2编程循环中，对所述字线施加所述第3电压而执行所述第2编程后，对所述字线施加低于所述第2电压的第4电压而执行所述第2验证。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述控制电路在所述第1编程循环的各循环中，在对所述字线施加了所述第2电压的第1次的所述第1验证中所述断开单元数为所述阈值以下的情况下，使所述第1电压升压，并重复进行所述第1编程循环。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述控制电路在所述第1编程循环中，在重复进行所述第1验证的情况下，使所述第2电压每次升压第1电压量。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于：

还包含第2存储单元组，所述第2存储单元组包含多个第2存储单元；且

所述控制电路在对所述第2存储单元组的所述写入动作中使用所述第3电压的情况下，不执行所述第1模式而执行所述第2模式。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述控制电路能够调整所述第1电压、所述第1电压的施加期间、所述阈值。

6.一种存储器系统，其特征在于具备：

根据权利要求1至5中任一项所述的半导体存储装置；及

控制器，将指示所述第1模式的执行的第1指令发送到所述半导体存储装置。