[发明专利]一种N型双面太阳能电池片及其制作方法

权利要求书

1.一种N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括：

提供一N型多晶硅片；

在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层；

在所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面钝化层、及在所述N型多晶硅片的背面形成背面钝化层；

在所述正面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面栅线电极、及在所述背面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成背面栅线电极。

2.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层包括：

采用热扩散工艺在所述N型多晶硅片的正面扩散一所述P型扩散层、及同时在所述N型多晶硅片的背面扩散一辅助P型扩散层；

刻蚀去除所述辅助P型扩散层。

3.根据权利要求2所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，采用刻蚀溶液刻蚀去除所述辅助P型扩散层；

其中，所述刻蚀溶液为氢氧化钾溶液，所述氢氧化钾溶液的浓度范围为1％～10％，包括端点值；或者，

所述刻蚀溶液为氢氟酸、硝酸和水的混合溶液，所述氢氟酸：硝酸：水的浓度比例范围为1:3:1～1:3:2，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在形成所述P型扩散层后，且在形成所述正面钝化层和所述背面钝化层之前，还包括：

在N型多晶硅片的背面扩散一N+扩散层，其中，所述背面钝化层位于所述N+扩散层背离所述N型多晶硅片一侧。

5.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述正面钝化层包括：

位于所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧的第一氮化硅层；

及，位于所述第一氮化硅层和所述P型扩散层之间的氧化铝层或二氧化硅层。

6.根据权利要求5所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述氧化铝层的厚度范围为3nm～15nm，包括端点值；

及，所述二氧化硅层的厚度范围为0.5nm～2nm，包括端点值；

其中，位于所述第一氮化硅层和所述P型扩散层之间为所述氧化铝层时，所述第一氮化硅层的厚度范围为63nm～75nm，包括端点值；

及，位于所述第一氮化硅层和所述P型扩散层之间为所述二氧化硅层时，所述第一氮化硅层的厚度范围为75nm～78nm，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述背面钝化层为第二氮化硅层。

8.根据权利要求7所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述第二氮化硅层的厚度范围为70nm～120nm，包括端点值。

9.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述正面栅线电极采用银铝浆制作而成；

及，所述背面栅线电极采用银浆制作而成。

10.一种N型双面太阳能电池片，其特征在于，所述N型双面太阳能电池片采用权利要求1～9任意一项所述的N型双面太阳能电池片的制作方法制作而成。