[发明专利]一种N型双面太阳能电池片及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池片技术领域，更为具体的说，涉及一种N型双面太阳能电池片及其制作方法。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种清洁、普遍和潜力高的替代能源。太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源，并受到了广泛的关注。

在太阳能电池所使用的基底材料中，N型硅比P型硅具有更长的少子寿命，N型硅的光衰减性能则更为稳定，因此，在N型硅片上进行电池制作形成的N型太阳能电池片的相比P型太阳能电池片优势较大。但是，现有的N型太阳能电池的成本较高，并且N型太阳能电池片的光电转换效率有待提高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种N型双面太阳能电池片及其制作方法，采用N型多晶硅片制作太阳能电池片，能够大大降低太阳能电池片的制作成本；以及，将太阳能电池片制作N型双面太阳能电池片，使得太阳能电池片的双面均能够发电，进而有效的提高太阳能电池片的光电转换效率。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种N型双面太阳能电池片的制作方法，包括：

提供一N型多晶硅片；

在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层；

在所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面钝化层、及在所述N型多晶硅片的背面形成背面钝化层；

在所述正面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面栅线电极、及在所述背面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成背面栅线电极。

可选的，在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层包括：

采用热扩散工艺在所述N型多晶硅片的正面扩散一所述P型扩散层、及同时在所述N型多晶硅片的背面扩散一辅助P型扩散层；

刻蚀去除所述辅助P型扩散层。

可选的，采用刻蚀溶液刻蚀去除所述辅助P型扩散层；

其中，所述刻蚀溶液为氢氧化钾溶液，所述氢氧化钾溶液的浓度范围为1％～10％，包括端点值；或者，

所述刻蚀溶液为氢氟酸、硝酸和水的混合溶液，所述氢氟酸：硝酸：水的浓度比例范围为1:3:1～1:3:2，包括端点值。

可选的，在形成所述P型扩散层后，且在形成所述正面钝化层和所述背面钝化层之前，还包括：

在N型多晶硅片的背面扩散一N+扩散层，其中，所述背面钝化层位于所述N+扩散层背离所述N型多晶硅片一侧。

可选的，所述正面钝化层包括：

位于所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧的第一氮化硅层；

及，位于所述第一氮化硅层和所述P型扩散层之间的氧化铝层或二氧化硅层。

可选的，所述氧化铝层的厚度范围为3nm～15nm，包括端点值；

及，所述二氧化硅层的厚度范围为0.5nm～2nm，包括端点值；

其中，位于所述第一氮化硅层和所述P型扩散层之间为所述氧化铝层时，所述第一氮化硅层的厚度范围为63nm～75nm，包括端点值；

及，位于所述第一氮化硅层和所述P型扩散层之间为所述二氧化硅层时，所述第一氮化硅层的厚度范围为75nm～78nm，包括端点值。

可选的，所述背面钝化层为第二氮化硅层。

可选的，所述第二氮化硅层的厚度范围为70nm～120nm，包括端点值。

可选的，所述正面栅线电极采用银铝浆制作而成；

及，所述背面栅线电极采用银浆制作而成。

相应的，本发明还提供了一种N型双面太阳能电池片，所述N型双面太阳能电池片采用上述的N型双面太阳能电池片的制作方法制作而成。

相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：

本发明提供了一种N型双面太阳能电池片及其制作方法，包括：提供一N型多晶硅片；在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层；在所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面钝化层、及在所述N型多晶硅片的背面形成背面钝化层；在所述正面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面栅线电极、及在所述背面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成背面栅线电极。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，采用N型多晶硅片制作太阳能电池片，能够大大降低太阳能电池片的制作成本；以及，将太阳能电池片制作N型双面太阳能电池片，使得太阳能电池片的双面均能够发电，进而有效的提高太阳能电池片的光电转换效率。