[发明专利]一种金属光栅的制作方法、金属光栅及显示装置有效

专利信息
申请号: 201710652740.7 申请日: 2017-08-02
公开(公告)号: CN107219723B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 齐永莲;曲连杰;贵炳强;赵合彬;邱云 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/20;G02B5/30
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 光栅 制作方法 显示装置
【说明书】:

发明公开了一种金属光栅的制作方法、金属光栅及显示装置,由于在对深紫外光刻胶层进行光刻工艺时,利用了光学的泰伯效应,因此必须在金属层的表面形成减反层,以保障进行光刻工艺时照射在深紫外光刻胶层的深紫外光的光学强度和分布不受影响。相较于现有的制作工序中将减反层设置于硬掩膜板之上且不与金属层接触,本发明实施例由于将减反层直接形成在金属层之上,可以在后续采用等离子体处理工艺,在去除具有刻蚀模板图案的减反层的同时,在金属光栅的表面形成保护膜,即可以省去现有制作工序中单独形成保护层的步骤,可以简化制作工序,提高生产效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种金属光栅的制作方法、金属光栅及显示装置。

背景技术

目前,在平板显示面板中,内置偏光片的制作方法有采用二项色性染料为偏光片的主要成分旋涂在液晶盒内部形成内置偏光片,受限材料限制的原因,其偏振度目前只能实现80%,远不能达到显示面板要求的99.99%的偏振度要求,故不能应用在实际产品中。

另一种内置偏光片的形成方式为采用纳米压印的方式形成如图1所示的金属光栅作为内置偏光片。采用纳米压印的制作方法制作周期在120nm的金属光栅时,由于纳米压印的良率问题,尤其是在大尺寸上的问题,只能获得3寸的样品,不利于应用于大尺寸显示面板。此外,纳米压印的良率比较低且工艺复杂,模板的成本很高,开发难度比较大;另外纳米压印属于接触式的机械制备,故对基板的平整度要求非常高。

针对纳米压印的上述缺陷,在本领域中发明了使用泰伯深紫外曝光的方法制作金属光栅,但是其工序较为复杂,因此,如何简化利用泰伯深紫外曝光制作金属光栅的制作方法,是本领域亟需解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供了一种金属光栅的制作方法、金属光栅及显示装置,用以解决现有的泰伯深紫外曝光制作金属光栅的方法中工序较为复杂的问题。

因此,本发明实施例提供了一种金属光栅的制作方法,包括:

在衬底基板上依次形成金属层、减反层和深紫外光刻胶层;

采用光刻工艺对所述深紫外光刻胶层进行刻蚀,形成光栅掩膜图案;

以所述光栅掩膜图案作为遮挡,采用干刻工艺对所述减反层进行刻蚀,形成与所述光栅掩膜图案相同的刻蚀模板图案;

剥离具有所述光栅掩膜图案的深紫外光刻胶层;

以所述刻蚀模板图案作为遮挡,采用干刻工艺对所述金属层进行刻蚀,形成金属光栅;

采用等离子体处理工艺,在去除具有所述刻蚀模板图案的减反层的同时,在所述金属光栅的表面形成保护膜。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在形成所述减反层之后,且形成所述深紫外光刻胶层之前,还包括:在所述减反层上形成硬膜板层;

在以所述光栅掩膜图案作为遮挡,采用干刻工艺对所述减反层进行刻蚀的同时,还包括:采用干刻工艺对所述硬膜板层进行刻蚀;

在形成金属光栅之后,且采用等离子体处理工艺之前,还包括:去除具有所述刻蚀模板图案的硬膜板层。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在所述金属层上依次形成减反层和深紫外光刻胶层,具体包括:

形成的所述深紫外光刻胶层和所述减反层之间的刻蚀选择比不小于预设阈值。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在所述金属层上依次形成减反层和深紫外光刻胶层,具体包括:

形成的所述深紫外光刻胶层和所述减反层之间的刻蚀选择比不小于所述深紫外光刻胶层和硬膜板层之间的刻蚀选择比。

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