[发明专利]显示基板的制造方法

权利要求书

1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管TFT；

在形成有所述TFT的衬底基板上涂覆光刻胶；

通过紫外光采用掩模板，对涂覆有所述光刻胶的衬底基板进行曝光，其中，曝光面积小于涂覆的所述光刻胶的面积的5％，单位面积的曝光能量小于或等于100兆焦耳；

对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到光刻胶图案，所述光刻胶图案包括用于形成隔垫物图案的镂空区域，所述镂空区域包括呈圆台状或棱台状的镂空孔，所述镂空孔中靠近所述衬底基板的开口大于远离所述衬底基板的开口；

在所述镂空区域内涂覆隔垫物材料，所述隔垫物材料包括溶有树脂材料的有机溶液；

采用预设的温度对所述隔垫物材料进行烘烤，所述预设的温度的范围为200℃～300℃；

剥离所述光刻胶图案，以使所述镂空区域内的隔垫物材料形成所述隔垫物图案，所述隔垫物图案的厚度为1微米～2微米。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述TFT的衬底基板上涂覆光刻胶，包括：

在形成有所述TFT的衬底基板上形成平坦层；

在形成有所述平坦层的衬底基板上形成像素限定层；

在形成有所述像素限定层的衬底基板上涂覆所述光刻胶。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成TFT，包括：

在所述衬底基板上形成有源层；

在形成有所述有源层的衬底基板上依次形成栅绝缘层、栅极和源漏极图案，所述源漏极图案包括源极和漏极。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述有源层为多晶硅P-Si层。