[发明专利]显示基板的制造方法有效
申请号: | 201710652934.7 | 申请日: | 2017-08-02 |
公开(公告)号: | CN107393947B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 张锋;吕志军;刘文渠;董立文;张世政;党宁;刘志勇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制造 方法 | ||
本发明公开了一种显示基板的制造方法,属于显示技术领域。所述方法包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成薄膜晶体管TFT;在形成有所述TFT的衬底基板上形成光刻胶图案,所述光刻胶图案包括用于形成隔垫物图案的镂空区域;在所述镂空区域内形成隔垫物材料;剥离所述光刻胶图案,以使所述镂空区域内的隔垫物材料形成所述隔垫物图案。本发明解决了相关技术中制造显示基板时可能导致显示装置上的像素亮度不均,影响显示装置的图像显示稳定性的问题。本发明用于显示基板的制造。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板的制造方法。
背景技术
有机发光二极管(英文:Organic Light-Emitting Diode;简称:OLED)显示装置是一种具有自主发光功能的显示装置。OLED显示装置中包括以矩阵形式排列的多个像素,OLED显示装置按照其像素的驱动方式可以分为有源矩阵有机发光二极管(英文:ActiveMatrix/Organic Light Emitting Diode;简称:AMOLED)显示装置和无源矩阵有机发光二极管(英文:Passive matrix Organic Light-Emitting Diode;简称:PMOLED)显示装置,其中,AMOLED显示装置以其厚度薄、重量轻、主动发光、响应速度快,视角广,色彩丰富以及高亮度、低功耗、耐高低温等优点广泛应用于显示行业。
AMOLED显示装置通常可以包括显示基板,显示基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的多个薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor;简称:TFT),显示基板还包括在设置有多个TFT的衬底基板上依次设置的平坦层、像素限定层和隔垫物图案。
相关技术中,制备显示基板中的隔垫物图案的方法一般包括:在设置有像素限定层的衬底基板上涂覆隔垫物材料以设置隔垫物层,通过紫外光采用掩模板对涂覆有隔垫物层的衬底基板进行曝光,设置隔垫物图案。
但是,相关技术中在制备隔垫物图案时,由于隔垫物材料一般为有机树脂材料,且隔垫物层的厚度较大,而隔垫物图案的面积较小,所需曝光的面积较大,因此对隔垫物层进行曝光处理时所需的紫外光的曝光能量较大,并且紫外光照射到TFT中的有源层时,会使TFT特性漂移(也即是多个TFT的阈值电压的大小可能不同),影响TFT的阈值电压。在显示图像时,若在多个TFT上加载相同的电压,由于多个TFT的阈值电压不同,经过该多个TFT对应的像素的电流也不同,导致显示装置上的像素亮度不均,影响显示装置的图像显示稳定性。
发明内容
为了解决相关技术中制造显示基板时可能导致显示装置上的像素亮度不均,影响显示装置的图像显示稳定性的问题,本发明实施例提供了一种显示基板的制造方法。所述技术方案如下:
提供了一种显示基板的制造方法,所述方法包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管TFT;
在形成有所述TFT的衬底基板上形成光刻胶图案,所述光刻胶图案包括用于形成隔垫物图案的镂空区域;
在所述镂空区域内形成隔垫物材料;
剥离所述光刻胶图案,以使所述镂空区域内的隔垫物材料形成所述隔垫物图案。
可选的,所述在形成有所述TFT的衬底基板上形成光刻胶图案,包括:
在形成有所述TFT的衬底基板上涂覆光刻胶;
通过紫外光采用掩模板,对涂覆有所述光刻胶的衬底基板进行曝光;
对曝光后的衬底基板进行显影、刻蚀得到所述光刻胶图案。
可选的,在所述剥离所述光刻胶图案,以形成所述隔垫物图案之前,所述方法还包括:
采用预设的温度对所述隔垫物材料进行烘烤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的